课件：光刻与刻蚀工艺.ppt

会出现光刻胶的钻蚀---方向性 腐蚀剂会腐蚀衬底而改变衬底形貌---选择性 lithography Introduction 光刻 刻蚀 湿法刻蚀 干法刻蚀 刻蚀 湿法腐蚀： 湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低 缺点是钻蚀严重、各向同性腐蚀，对图形的控制性较差 在工业生产中一般以3um线宽为界限，小于3um普遍应用干法刻蚀技术。 各向同性和异性 假设hf为下层材料的厚度，l为抗蚀剂底下的侧面钻蚀距离，可以定义各向异性的比值Af为： 其中：t为时间，而Rl和Rv则分别为水平方向与垂直方向腐蚀的速率；对各向同性腐蚀而言，Rl＝Rv，Af＝0；对各向异性腐蚀的极限情况而言，Rl＝0，Af＝1； 湿法刻蚀技术 （1） Wet Etching Silicon （硅刻蚀） 腐蚀液成份：HNO3、HF、CH3COOH（水） 醋酸比水好，可以抑制HNO3的分解 反应方程： Si+HNO3+6HF H2SiF6+HNO3+H2+H2O 混合液成份不同腐蚀速率不同 各向同性腐蚀 Wet Etching Silicon Dioxide （二氧化硅刻蚀） 腐蚀液成份：HF、氟化氨（NH4F）水溶液 反应方程： SiO2+6HF H2+SiF6+2H2O 腐蚀液中加入一定的氟化氨作为缓冲剂 形成的腐