课件：光刻胶的分类与效果.pptVIP

前处理 预烘100C10min 坚膜 100C10min 显影 40sec 对准曝光 8sec 前烘 100C 5min 匀胶 4000rps 胶厚1.4um （以AZ6130为例） 胶厚大约2um，显影时间1min视为较好的曝光显影时间的配合 光刻工艺的基本步骤（如同洗印相片）： mask resist positive slope (a) exposure (b) development 正性胶 负性胶 （ L 300 ,SU8 ） mask resist undercut (a) exposure (b) development (AZ6130，S9912, AZ4620 ) 实例： 反转胶 （AZ5214 ,AZ5200） 特点：负胶掩膜版、两次曝光、 最终得到使用正胶时得到的图形 mask resist cross-linked undercut undercut (a) exposure (b) reversal bake (c) flood-exposure (d) development THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 可编辑 可编辑 LED光刻及相关工艺技术 光刻工艺中的基本知识 2.光刻工艺中的常用技术 (1).光刻胶的热特性及其重要性