刻蚀设备与工艺介绍.PPT

一、SE刻蚀生产流程 一、SE刻蚀生产流程 特点： 1、相对于传统PSG（经适型）增加了极性刻蚀槽和去掩膜槽； 2、所有水洗槽都采用瀑布式水喷淋； 3、一定的效率提升潜力（多晶：0.2%；单晶：0.5%） 三、RENA 机台外观 三、SCHMID 机台外观 三、SCHMID SE机台外观 RENA刻蚀专辑 RENA Inoxide 大致构造 除刻蚀槽外，其它化学槽和水槽都是喷淋结构。去PSG氢氟酸槽是喷淋结构，而且片子浸入到溶液内部。 上 片 刻蚀槽 H2SO4/ HNO3/ HF 水 喷 淋 碱洗槽 KOH 水 喷 淋 去PSG槽 HF 水 喷 淋 下 片 吹 干 风 刀 RENA刻蚀的机理 尽管很复杂，但刻蚀反应不外分成两步： 硝酸/亚硝酸（HNO2）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚硝酸将硅氧化）。 二氧化硅和氢氟酸反应（快反应），生成四氟化硅和水（快反应），四氟化硅又和水化合成氟硅酸进入溶液。 硫酸不参与反应，仅仅是增加氢离子浓度，加快反应，增加溶液黏度（增大溶液与PSG薄层间的界面张力）和溶液密度。 链的触发： 硝酸将硅氧化成二氧化硅，生成二氧化氮或一氧化氮 Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O (慢反应) Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O (慢反应) 链的扩展： 二氧化氮、一氧化氮与水反应，生成亚硝酸，亚硝酸很快地将硅氧化成二氧化硅 2NO2+H2O=HNO2+HNO3 (快反应) Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O (快反应)（第一步的主反应） 4HNO3+NO+H2O=6HNO2(快反应) 只要有少量的二氧化氮生成，就会和水反应变成亚硝酸。只要少量的一氧化氮生成，就会和硝酸、水反应很快地生成亚硝酸。亚硝酸会很快的将硅氧化，生成一氧化氮，一氧化氮又与硝酸、水反应。造成硅的快速氧化，硝酸则最终被还原成氮氧化物。 最终硅片背面（与刻蚀溶液接触）被氧化。 RENA刻蚀的机理 RENA刻蚀的机理 第二步、二氧化硅的溶解 二氧化硅生成以后，很快与氢氟酸反应 SiO2+4HF=SiF4+2H2O;(四氟化硅是气体) SiF4+2HF=H2SiF6。 总反应 SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O 最终刻蚀掉的硅以氟硅酸的形式进入溶液。 刻蚀线 一个程度有点重的微过刻的片子 正常情况下刻蚀线到边缘的距离控制在1.5mm以下，最宽不得超过1.5mm。 刻蚀线 对于直接RENA的片子，刻蚀后有时会有刻蚀线——一条靠近边缘的淡淡的一条黑线。 刻蚀线一般是淡淡的一条黑线。有时在边缘会有很显眼的很黑很黑的线或黑区，这些东西就不是刻蚀线了，而是没有洗干净的酸，此时需要在碱槽手动补碱来解决。如果多次出现这种情况，必须检查碱洗槽是否堵碱。 刻蚀线 亚硝酸本身并不是特别稳定，它会慢慢分解。在时刻时停的小批量生产时，溶液中的亚硝酸浓度的平衡点不会超过一定的限度，刻蚀溶液会一直保持无色。大批量生产时，亚硝酸浓度平衡点会有所上升，亚硝酸浓度的略微增加，会导致有一个有趣的现象——溶液颜色变成淡绿色和绿色。 只要刻蚀正常，溶液颜色变绿不会对片子效率产生任何影响。刻蚀不合格片时可能会将一些杂质引入刻蚀溶液，污染刻蚀溶液，但这与变绿无关。 RENA刻蚀的机理——溶液变绿 RENA刻蚀槽外观 传说中的 裘千仞的“水上漂”，想拥有吗？ 绝对给力！！！ Edge isolation through back side emitter removal InOxSide RENA刻蚀槽——轻功“水上漂”  Saw damage etching + texturing Diffusion Edge isolation + Phosphor glassetching AR-coatingprintingfiring Front Grid AR-coating Si - Wafer PSG n+ Si Al p+ Si n+ Si Edge Isolation Process 酸洗 HF和HCl，中和掉硅片表面残余的碱，去除残存的氧化物和重金属 HF去除硅片表面氧化物 盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与 Pt2+、Au3+、Ag+、Cu2+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。 酸碱槽的清洗原理 碱洗： NaOH或KOH中和掉硅片表面残余的酸,去除多孔硅。 SCHMID专辑