第1章常用半导体器件.pptx

第一章 常用半导体器件;§1 .1 半导体基础知识;一、本征半导体;2、本征半导体的结构;两种载流子;二、杂质半导体 通过扩散工艺在本证半导体中掺入微量的有用杂质;2. P型半导体;三、PN结的形成及其单向导电性;PN 结的形成;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;四、PN 结的电容效应;问题; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 有关，少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）;§1.2 半导体二极管; 一、二极管的组成; 一、二极管的组成; 二、二极管的伏安特性及电流方程;从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性;三、二极管的等效电路;2. 微变等效电路;（1）开关电路（掌握）;例1 电路如图所示，求AO的电压值（理想二极管）。;①若D1、D2为理想二极管 ;练习： 图（b）中二极管为理想二极管;（2）整流电路(D 管理想化); 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和常压源模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 ; vi 3V， V阳 V阴， D导通（短路） vo = 3V vi 3V， V阳 V阴， D 截止（开路） vo = vi;作业;四、二极管的主要参数;五、稳压二极管;;（2） ，DZ管正偏 （上负下正）;;作业;六. 其他类型二极管;2. 发光二极管;3. 激光二极管; 发光二极管;§1.3 晶体三极管;三极管：电流放大（三个电极）; 一、晶体管的结构和符号;两种类型: NPN型 PNP型; 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。;二、晶体管的放大原理;电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流; 三极管的三种组态;（1）共射极电流放大系数 ? ; 综上所述，实现晶体三极管放大作用的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;;2. 输出特性;3.输出特性曲线的三个区域:;③截止区： ;晶体管的三个工作区域;5.3V;2、判断工作在放大状态的晶体管的各电极名称、类型、材料;例：;作业;四、温度???晶体管特性的影响;五、主要参数;讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性