图形电镀流程介绍.PPTVIP

圖形電鍍流程介紹 目錄 一﹑簡介 二﹑流程介紹 三﹑PD与Tenting流程對比 四﹑PD流程示意圖 五﹑PD個性站別作業重點介紹 六﹑PD流程优缺點 七﹑蝕刻因子与補償值 一﹑簡介 圖形電鍍過程簡介﹕即在經過一次電鍍銅PCB干膜圖形板上電鍍第二次銅﹐英文名Plating in Dryfilm﹐簡稱PD﹒也叫做Pattern Plating﹒第一次電鍍為一次銅﹐第二次電鍍為二次銅﹒ 圖形電鍍流程設定目的簡介﹕ 1﹑通過調節一二次銅的分配﹐達到減小蝕刻銅厚﹐從而降低蝕刻難度﹔ 2﹑克服Tenting流程因干膜附著力不足帶來的線路open﹔ 3﹑克服干膜不能覆蓋保護大的貫孔之缺點﹔ 4﹑克服間距較小易產生曝光short﹔ 5﹑克服干膜越高解析度﹐而厚度又越薄易破之矛盾﹒ 6﹑減少消耗銅球﹐降低成本﹒ 二﹑流程介紹 …?NC鑽孔?高壓水洗（Deburr）?除膠渣（Desmear）?化學銅（PTH）?一次銅?PD前處理?預熱?壓膜?對片?曝光?顯影?二次銅（含鍍錫）?除膠?鹼性蝕刻?剝錫?AOI?… 三﹑PD与Tenting流程對比 PD流程:…?NC鑽孔?高壓水洗（Deburr）?除膠渣（Desmear）?化學銅（PTH）?一次銅?PD前處理?預熱?壓膜?對片?曝光?顯影?二次銅（含鍍錫）?除膠?鹼性蝕刻?剝錫?AOI?… Tenting流程:…?NC鑽孔?高壓水洗（Deburr）?除膠渣（Desmear）?化學銅（PTH）?全板電鍍銅（Panel Plating）?DF前處理?預熱?壓膜?對片?曝光?顯影?酸性蝕刻?除膠?AOI?… 四﹑PD流程示意圖 NC Deburr Desmear PTH 一次銅 壓膜（前處理略） 曝光（對片略） 顯影 二次銅 鍍錫 除膠 鹼性蝕刻 剝錫（鉛） 五﹑PD個性站別作業重點介紹 一次銅 要求﹕ 1﹑在孔內化學銅的基礎上﹐電鍍一層電鍍銅﹐确保在PD前處理微蝕及二次銅微蝕中不致孔內銅被咬蝕成破洞﹐導致貫孔不良﹔ 2﹑因蝕刻銅厚越厚﹐蝕刻越為困難﹐所以必須控制在一定范圍以內﹔ 3﹑因二次銅受干膜厚度及板子特性限制（鍍得太多會產生夾膜及孔徑大小异常）﹐二次銅的量不可以無限加大﹐一般需要一次銅在蝕刻能力范圍內﹐盡可能多鍍一點﹒ 不同線寬蝕刻銅厚（一次銅后表銅）最大值表﹕ 最小線寬 3mil 4mil 5mil 6mil 一次銅后表銅最大值 1.1mil max 1.4mil max 1.7mil max 2.0mil max 若某机种最小線寬5mil﹐補償值（設定表中可查）3mil﹐則3mil比原基准補償2mil大1mil﹐則一次銅后表銅最大值管制上浮1/0.5*0.25＝0.5mil﹐則該机种表銅管制2.2milmax﹒ PD壓膜﹕ 特點﹕ 1﹑氣源壓較大﹔ 2﹑范圍較大4.5－6.0kg/cm2﹒ 氣源壓較大原因﹕ Tenting做法﹐壓膜壓力過大會造成孔口膜破﹐所以其難以通過提高壓膜壓力來提高干膜附著力﹐而壓膜壓力又是一個提高干膜附著力的十分顯著的因素﹒ PD做法﹐壓膜壓力過大孔口膜破只會對不貫孔產生影響﹐風險性不大﹒而且PD用的干膜厚度一般都在2mil以上﹐即使壓膜壓力大一點﹐也不會造成孔口膜破﹒ 范圍較大原因﹕ 是因實際作用到板子上的壓強會隨板幅變化﹒ PD顯影﹕因PD顯影后﹐板子還要進行電鍍﹐若顯影不盡或清洗不干淨會導致電鍍受阻或電鍍凸起﹐引起電鍍粗糙﹒所以控制要比Tenting來得嚴格﹒ 顯影點抓取要以全程法(即最大速度法）抓取﹐方法如下﹕ 全程法﹕選擇某一速度顯影1pnl某一厚度干膜﹐控制板面干膜覆蓋率約30－60％﹐根据板面殘留干膜圖形調整顯影均勻性（通過調整噴壓）﹐直至均勻性 OK﹒然后依次降低0.3m/min速度再顯影1pnl确認均勻性並作調整﹐直至找到某一速度恰好使板面殘留干膜覆蓋率0－5％左右﹐然后以該速度乘以55％﹐即為該厚度干膜生產選用速度﹒ 水洗量﹑水質及新液自動添加量要保証﹕ 水洗量不足會導致顯影sludge殘留﹔ 水質太臟會污染板面﹔ 足夠的新液自動添加量可以減少顯影sludge后帶﹐減小水洗壓力﹒ -導致主要不良﹕ 1﹑二次銅粗糙（顯影水洗不淨）﹔2﹑干膜漂移﹔3﹑顯影未淨。 二次銅﹕ 特點﹕ 1﹑因板子兩面圖形不同﹐在同一電流密度下﹐兩面電流不等﹐所以不能用同一整流器同時給板子兩面提供電流﹐必須板子兩面各用一個整流器控制﹔ 2﹑前處理有微蝕槽以提高板面新鮮度﹐增強一二次銅間結合力﹔ 3﹑線上有鍍錫槽﹐以提供鹼性蝕刻時的錫抗