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MOS 管主要参数 1.开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S 和漏极 D 之间开始形成导电沟道所需的栅极 电压； ·标准的N 沟道MOS 管，VT 约为3～6V； ·通过工艺上的改进，可以使MOS 管的VT 值降到2～3V。 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS 管的RGS 可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0 （增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID 开始剧增时的VDS 称 为漏源击穿电压BVDS ·ID 剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS 管中，其沟道长度较短，不断增加VDS 会使漏区的耗尽层一直扩展到源区， 使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后 ，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID 4. 栅源击穿电压BVGS ·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG 由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压 BVGS。 5. 低频跨导gm ·在VDS 为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微 变量之比称为跨导 ·gm 反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 ·是表征MOS 管放大能力的一个重要参数 ·一般在十分之几至几mA/V 的范围内 6. 导通电阻RON ·导通电阻RON 说明了VDS 对ID 的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 ·在饱和区，ID 几乎不随VDS 改变，RON 的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧 之间 ·由于在数字电路中 ，MOS 管导通时经常工作在 VDS=0的状态下，所以这时的导通 电阻RON 可用原点的RON 来近似 ·对一般的MOS 管而言，RON 的数值在几百欧以内 7. 极间电容 ·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD 和漏源电容CDS ·CGS 和CGD 约为1～3pF ·CDS 约在0.1～1pF 之间 8. 低频噪声系数NF ·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的 ·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电 压或电流变化 ·噪声性能的大小通常用噪声系数NF 来表示，它的单位为分贝（dB） ·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小 ·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数 ·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小