Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述.pdfVIP

第７期 电　　子　　学　　报 Ｖｏｌ．４４　Ｎｏ．７ ２０１６年７月 ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｊｕｌ．　２０１６ Ｓｉ和ＳｉＧｅ三极管Ｅａｒｌｙ效应模型及在 电路仿真器中的应用综述 １，２ １ １ １ ３ ２ 徐小波 ，张　林 ，王晓艳 ，谷文萍 ，胡辉勇 ，葛建华 （１．长安大学电子与控制工程学院，道路交通检测与装备工程技术研究中心，陕西西安７１００６４； ２．西安电子科技大学综合业务网理论与关键技术国家重点实验室，陕西西安７１００７１； ３．西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件重点实验室，陕西西安７１００７１） 　　摘　要：　Ｅａｒｌｙ效应作为表征双极器件关键性能的因素之一，影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增 益、扩散电容等器件特性．本文从Ｅａｒｌｙ效应的基本定义出发，综述了Ｅａｒｌｙ电压的起源，模型的发展及其在Ｓｉ和ＳｉＧｅ 电路仿真器中的应用．具体为：（１）综述了Ｓｉ三极管中的基本模型及在ＳＰＩＣＥ中处理过程，然后针对ＳＰＩＣＥ的缺陷，描 述了ＶＢＩＣ模型中针对Ｅａｒｌｙ效应的改进．（２）由于ＳＰＩＣＥ和ＶＢＩＣ不能有效描述ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ组分引入．本文 基于ＳｉＧｅＨＢＴ标准化模型Ｍｅｘｔｒａｍ、ＨＩＣＵＭ对ＳｉＧｅＨＢＴ的建模思想，综述了将其用于建立 Ｅａｒｌｙ电压模型的方法． （３）总结了现有主流模型对Ｅａｒｌｙ效应的建模方法及优缺点． 关键词：　Ｅａｒｌｙ效应；三极管；ＳＰＩＣＥ；积分电荷控制关系 中图分类号：　ＴＮ３２　　　文献标识码：　Ａ　　　文章编号：　０３７２２１１２（２０１６）０７１７６３０９ 电子学报ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１６．０７．０３５ ＲｅｖｉｅｗｏｎＥａｒｌｙＥｆｆｅｃｔＭｏｄｅｌｏｆＳｉａｎｄＳｉＧｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ ａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｔｏＣｉｒｃｕｉｔＳｉｍｕｌａｔｏｒｓ １，２ １ １ １ ３ ２ ＸＵＸｉａｏｂｏ ，ＺＨＡＮＧＬｉｎ，ＷＡＮＧＸｉａｏｙａｎ，ＧＵＷｅｎｐｉｎｇ，ＨＵＨｕｉｙｏｎｇ，ＧＥＪｉａｎｈｕａ （１．ＲｏａｄＴｒａｆｆｉｃＤｅｔｅｃｔｉｏｎａｎｄＥｑｕｉｐｍｅｎｔＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ，Ｓｃｈｏｏｌｏｆ ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｎｄＣｏｎｔｒｏｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｃｈａｎｇ′ａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ′ａｎ，Ｓｈａａｎｘｉ７１００６４，Ｃｈｉｎａ； ２．ＮａｔｉｏｎａｌＫｅｙＬａｂ．ｏｎＩＳＮ，ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＸｉ′ａｎ，Ｓｈａａｎｘｉ７１００７１，Ｃｈｉｎａ； ３．ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｆｏｒＷｉｄｅＢａｎｄＧａｐＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＤｅｖｉｃｅｓ，Ｓｃｈｏｏｌｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ′ａｎ，Ｓｈａａｎｘｉ７１００７１，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：　Ａｓａｋｅｙｆａｃｔｏｒｒｅｐｒｅｓｅｎｔｉｎｇｔｈｅｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｃｈａｒａｃｔｅｒｉ