银氧化锡氧化铟电触头材料的加工及其特性.doc

银氧化锡氧化铟电触头材料的加工及其特性 ⑥牛弓一I./触砑屯 银氧化锡氧化铟电触头 材料的加工及其特性 印度AmitabhVerma,AmitavaRoy. TandreR,Anantharaman. Verm~/A排,7-J 摘要 评价了银氧化锝系触头材料的物理特性与其加工方式和微观结构的关系.这一类材料有可能 取代银氧化锅材料.应用铸造,内氧化工艺和粉末冶金工艺(包括快速凝固,内氧化,饶结和复压 等),制备了成份为Ag一7.6wt.NSnOt一4.81wt.NIn-O,的银氧化锝氧化铟台金.给出了密度,硬 度和电导率等数据井依据台金微观结构予以说明. 引言 一 般认为,在电流为5O～5000安的范围 内,开关装置上采用AgCaO是合适的.然而, 由于Ca.的毒性,人们已发展了其它类型的材 料如AgSnO:,AgZnO,AgJriO等以取代 AgCdO. 由于AgSnO:具有优良的抗腐蚀和抗熔 焊特性,该材料被认为是AgCdO很有希望的 一 种代用品[2].AgSnO.材料优良的抗腐蚀性 来源于SnO:的高度热稳定性.正是这种热稳 定性,使之得以避免触头运动期间触头表面 燃弧而引起的熔化和喷溅. 一 般采用二种工艺制备AgSnO:材料, 即内氧化(I/O)和粉末冶金(P/M).I/O工 艺包括以下步骤:在真空或惰性气氛中熔化 Ag和sn,然后在含氧气氛中加热AgSn台金 以使sn转化成SnO.由于SnO的热动力学 稳定性高于Ag:0,所以sn氧化要先于Ag 的氧化.P/M工艺过程包括:在球磨机中使 Ag和SnOz微细粉末充分混和,然后压形,预 烧以提高密度.为使制品最终密度提高,二次 加工如复压,烧结和挤压等是非常重要的. I/O工艺制取的材料具有微细晶粒结 构,但沿样品横截面方向(深度方向)产生不 均匀的微观结构.这反过来会影响材料的物 理和接触性能.除微观结构的不均匀以 43 外,I/0法材料还有其它一些特点如有贫瘠 区存在,晶界处有氧化物沉淀等.与此相反, P/M工艺制备的材料具有均匀的微观结构, 但其密度,硬度较低,为了获得有利的物理, 接触性能,P/M工艺需要采用微细的粉末颗 粒.对触头材料而言,所选择的加工工艺既影 响其物理性能,又影响其接触性能如腐蚀速 率,电弧运动和抗熔焊特性等.上述的两种工 艺都不能实现触头特性的最优化.本文所描 述的工艺可以看作是这两种工艺的综合,并 称之为预氧化(P/O)工艺.该工艺利用了快 速凝固的优点,使材料的晶粒细化,微观结构 不出现偏析",避免了常规I/o工艺的缺点, 使材料内部具有均匀结构,不会产生贫瘠区. 本文的试验对舍金成份的选择是基于优 化接触性能而决定的,这方面有许多资料可 供参考..当sn的含量为4一lOwt.时其 接触性能较好.若sn量少于4wt.,则抗熔 焊性能变差;Sn量高于10wt.,则材料变 脆,加工困难.从sn的氧化和改善材料加工 性能的角度看,In的加入是必不可少的.一般 认为,In的最大含量应在2—4wt.之间.若 In量太于4wt.,会使材料抗粘着性变差; 若In量少于2wt.,则不能有效地促进sn 的内氧化. 真空感应熔化 .............【.....一 熔旋 =二[=I hl 球磨粉的部分内氧化 T=550℃t=lh P:6.0Kg1,cm(02) 球磨 球磨粉的完全内氧化 T=F0℃t=4h P=6.0Kg/m2<o2. 真空均匀化退火 T=60UJC【=12.0h I 『冲制成片 016.Omm匣1.mm I 5:75内 0 氧 ~C 化 t:4h lP=6.0Kg/cm:(oJ : 盛l 氩气中烧结 T=850℃.t:1, 复压 P=].235MPa 氩气中退火 450℃t=O.5h la 图1工艺流程围: (a)预氧化工艺(P/O)}(b)内氧化 工艺(I/O) 试验过程 把组成为90wt.Ag6wt.Sn一 4wt.In的合金放入真空感应加热炉中熔 化,铸成直径为14mm的棒材,然后使用一个 熔旋装置把棒材熔化并快速凝固成4mm厚 的带材.在一个行星球磨机中用WC滚子和 研磨介质把淬火带材研磨两小时以制成粉 末.将球磨后不同尺寸的粉末通过一个140 目筛,然后在下列条件下进行部分内氧化:T =550℃,t;lh,氧压为6kg/cm,这样可增加 粉末的脆性,有助于进一步球磨.部分内氧化 粉末再球磨2小时后即可制得微细粉末,使 之具有狭窄的粒度分布.为确保粉末的完全 氧化,在650℃,6kg/em氧压下再将粉末氧 化4小时.这里的内氧化时间及温度的选择 是根据类似成份材料内氧化过程动力学的研 究成果决定的.使用一个舣向液压机将内氧 化后的粉末压制成直径为16mm的圆柱状坯 块(P一618MPa),其压坯密度为9.Ig/cm