LED结构及原理讲述.ppt

垂直芯片剖析 垂直LED制造的方法 制造垂直结构LED芯片有两种基本方法： 一、剥离生长衬底； 二、不剥离生长衬底 。 其中生长在砷化镓生长衬底上的垂直结构GaP基LED芯片有两种结构： 一、不剥离导电砷化镓生长衬底：在导电砷化镓生长衬底上层 迭导电DBR反射层，生长 GaP 基LED外延层在导电DBR反 射层上。 　二、剥离砷化镓生长衬底：层迭反射层在GaP基LED外延层上， 键合导电支持衬底，剥离砷化镓衬底。导电支持衬底包括， 砷化镓衬底，磷化镓衬底，硅衬底，金属及合金等。  四元DBR材料 MQW LED器件结构示意图 红光LED结构：从上向下看，n型砷化镓基板、n型AlGaAs(大bandgap材料)、p型活跃层（小bandgap材料），即发光层，决定发光波长，1.42eV，850nm附近，红外范围，可以通过调整Al的含量，使之在红光范围发光；化合物半导体中增加Al，会使bandgap变大， p型AlGaAs (大bandgap材料) ，器件为双异质结构，即小 bandganp材料夹在2个大bandgap材料之间；随后是一层cap layer，介电层，电极。此图是长完累晶层后翻过来的结果，原因：基板是GaAs，1.42eV，发红外光，只要波长短于红外的光，它会吸收所有可见光，造成中间发光层发出的光全部被基板吸掉，至少有一半的光被吸掉，所以要翻过来，在基板上挖个洞，形成top-down方式。大部分LED都是面射型。 也是翻过来top-down，InP为基板，1.35eV,也会吸可见光，但图中为红外LED。 如何看出红外：InGaAsP：1.33-1.5eV，发光层是narrow bandgap材料，上下2个InP都是large bandgap材料，标准的双异质结，无需再衬底挖洞，让光出来。 没有翻过来，没有用到异质结构，简单的pn型， GaP:N是发光层，GaP:简介带隙，效率不高，2.26eV，接近绿光。 边射型LED,红光结构，双异质结，发光层为narrow bandgap材料，夹在2个large bandgap材料之间， 边射型发光不会太强，大部分光被基板吸掉。（1980年以前） 高亮度可见光LED 四元化合物半导体 制作方法：n-GaAs做基板，Si较少用，会有晶格不匹配问题；n-AlInP中掺铝，带隙扩大，发光层是MQW结构，p-AlGaP（MgII族），II族元素掺入ⅢⅤ族元素中，形成p型半导体； 两边为为大bandgap材料， 蓝绿光LED通常用2种基板：蓝宝石（有杂质时呈现蓝色，无杂质时是透明的），其bandgap很大，因此可见光不会被它吸收掉。 制作方法：在外延生长之前，需使用一项非常重要的技术，缓冲层技术（buffer layer），通常要在约500度低温生长，而非1000度以上高温。这一层质量并不好，但作用很重要。再长一层n型GaN，随后是MQW结构做发光层，再长一层p型GaN, 再接上电极（contact）， N型电极不能接在下面，必须有两个front contact，原因？ 制造过程 结构特点（电极） 好处是什么 不用牺牲一部分发光区域，SiC基板导电。 有什么问题 早期红黄光LED GaP/AlGaInP/GaAs absorbing substrate：GaAs 5-10um的薄膜 20-50um 光到下面后，会被金属反弹回来 VPE（Vaporous phase epitaxy) 气相外延生长 None absorbing red yellow LED结构，假设是GaP基板 不加窗口层，直接把p-type contact electrode接在上面 产生问题：接触电极很薄，电流来不及散开，直接向下流 电流不散开，集中在金属电极的下面，电流密度会非常高，致使光电转换效率下降（经验：物理曲线数值增大到一定程度，就会趋缓，达到饱和）。原因:可能是热效应，也可能是其它饱和效应，，使光电转换效率开始衰竭。因此，不希望在某个特定区域，电流密度太高。 如果电流无法散开，过于集中在金属电极区域，会使绝大部分的发光也集中在金属电极区域下方，当光打到金属接触区域时，会被挡住，使光线无法散开。 如何使光能够散开？ with window layer 加一层很厚的窗口层，其厚度是发光层厚度的十倍、甚至百倍。因为这一层很厚，电流有足够的机会散开。 散开之后的作用： 1、使各点的电流密度降低，光电转换效率就可以提高； 2、使发光区域变大，被上面金属挡住的区域所占比例就会减小，LED发光效率就会有较大提升。 High Brightness