基本功率集成电路工艺.PPT

* */112 HV-IC工艺特点 典型的高低电平转换电路 * */112 HV-IC举例1－单晶硅BCD工艺 * */112 单晶硅BCD工艺步骤 Deep N阱 P-drift注入 版1 版2 * */112 单晶硅BCD工艺步骤 N-drift P阱注入 版3 版4 * */112 单晶硅BCD工艺步骤 N阱注入 场氧 版5 版6 * */112 单晶硅BCD工艺步骤 多晶硅淀积 PMOS源漏区注入 版7 版8 * */112 单晶硅BCD工艺步骤 NMOS源漏区注入 接触孔 版10 版9 * */112 单晶硅BCD工艺步骤 金属铝 版11 * */112 单晶硅BCD工艺可实现器件 HV-NLDMOS器件 HV-PLDMOS器件 HV二极管 一般二极管、齐纳二极管 纵向NPN管 标准CMOS管 电阻、电容等 * */112 HV-IC工艺举例2－SOI工艺 * */112 SOI工艺步骤 Deep N-well和Deep P-well阱 N-drift和P-drift区注入 版1、2 版3、4 * */112 SOI工艺步骤 N-well和P-well阱 Trench隔离 版7 版5、6 * */112 SOI工艺步骤 场氧 多晶硅淀积 版9 版8 * */112 SOI工艺步骤 PMOS源漏区注入 NMOS源漏区注入 版11 版10 * */112 SOI工艺步骤 接触孔 版12 * */112 SOI工艺步骤 金属铝 版13 * */112 SOI工艺可实现器件 HV-NLDMOS器件 HV-PLDMOS器件 HV-LIGBT器件 HV二极管 一般二极管、齐纳二极管 纵向NPN管 标准CMOS管 电阻、电容等 * */112 LIGBT版图布局 哪种版图布局更合理？ * */112 * */112 * */112 * */112 注氧隔离技术 如果要获得较厚的硅膜，可以采用ESIMOX（Epoxy SIMOX）技术进行实现。即通过在SIMOX的基片上 长外延的方法来获得较厚的顶层硅； SIMOX技术还存在的缺点就是会引起较多的缺陷以及 Si/SiO2界面质量不佳。 * */112 硅片直接键合技术 * */112 硅片直接键合技术 硅片直接键合SDB技术也是制备SOI材料的常用方法之一。 SDB技术是将二片镜片抛光硅片经过适当表面清洗与处理， 可以在室温下直接键合，再经加热增加其键合强度而成为一 个整体。 当两个表面十分平整的硅片放在一起，非常靠近时由于受硅 片之间的范德瓦尔斯力的作用，两个硅片就粘接在一起；然 后通过加热退火，增加硅片之间的键合强度。 SDB技术可实现不同晶向、不同掺杂类型、不同杂质浓度、 不同硅片厚度和带有SiO2的键合，因而具有很强的灵活性。 * */112 硅片直接键合技术 优缺点： 硅膜质量高； 氧化层厚度和硅膜厚度可以随意调整； 适合于大功率器件以及MEMS技术； 硅膜减薄一直是制约该技术发展的重要障碍； 一般采用机械研磨、化学抛光和等离子辅助化学腐蚀 等方法，硅膜厚度的均匀性较难控制。 键合要用两片体硅片制成一片SOI片，成本较高。 * */112 智能剥离（Smart-cut）技术 针对SOI材料减薄难点以及硅片直接键合技术效率偏低 问题（需要消耗两块硅片才能得到一块SOI材料片）， 1995年Bruel就提出采用Smart-cut技术来解决这个难点。 它是在硅片直接键合技术上增加薄层转移技术。 这种方法制得的硅膜均匀性相当好，厚度偏差控制在 10nm以内。 特别适用于制备薄硅膜、厚埋氧层材料。 * */112 智能剥离（Smart-cut）技术 首先利用H+在硅片中形成气泡层，H+的能量精确控制硅层厚度。 * */112 智能剥离（Smart-cut）技术 将注H+硅片和硅基片键合 * */112 智能剥离（Smart-cut）技术 * */112 智能剥离（Smart-cut）技术 键合之后，进行两步热处理：首先在大约500℃退火使得硅膜和整块晶 片分开；随后在大约1100℃进行第二次热处理以加强转移层和基片之间的结 合强度；最后对表面进行化学机械抛光，形成光滑表面的SOI材料基片。 * */112 外延层转移（ELTRAN）技术 外延层转移ELTRAN技术也是一种薄层转移技术，它 和键合技术一起使用可以得到十分平整的硅膜。 ELTRAN技术的原理就是利用多孔硅表面可以生长平 整的外延层，同时引入多孔硅以获得可控的键合晶片