SiC材料的特性及应用.pptVIP

SiC材料的特性及应用 SiC材料的发展史话 SiC材料的特性及应用 SiC材料的制备方法 小结 Silicon Carbide Technology(SiC) Why a new Technology? Si has served wonderfully well as a semiconductor for most applications Si devices fail to operate at high temperatures of around 300oC Since Si is a small band gap material, sufficiently high breakdown voltages cannot be applied SiC’s superior Performance SiC is especially useful for: High Temperature Environment High Radiation conditions High Voltage switching applications High power Microwave applications SiC is superior compared to Si because: It has exceptionally high Breakdown electric field Wide Band gap Energy High Thermal conductivity High carrier saturated velocity SiC材料的发展史话 SiC材料的发展史话 SiC材料的特性及应用 SiC材料的特性及应用 SiC材料的特性及应用 SiC材料的特性及应用 SiC材料的特性及应用 SiC材料的特性及应用 Ⅵ.SiC Light Emitting Diodes 根据SiC在低温下可以发射蓝光的性质，已经成功制作了蓝光发光二极管(LED)。但是，SiC是间接带隙半导体材料，所制成的LED的发光效率非常低。 电化学腐蚀处理 SiC 多孔SiC SiC材料的制备方法 SiC材料的制备方法 小结 * * 颜小琴 2004.11.15 起初Acheson错误地认为这种材料是C和Al的化合物，他的目的是想寻找一种材料能够代替金刚石和其他研磨材料，用于材料的切割和抛光，他发现这种单晶材料具有硬度大、熔点高等特性，于1893年申请了专利，将这种产品称为“Carborundum”。 开辟了SiC材料和器件研究的新纪元，此后，有关SiC的研究工作全面展开，并且于1958年在Boston召开了第一届SiC会议。 但是，Si技术的成功以及迅猛发展，使得人们对SiC的研究兴趣下降，这一时期的研究工作，即60年代中期到70年代中期，主要在前苏联进行，在西方一些国家，SiC的研究工作仅处于维持状态。 1824年,瑞典科学家Berzelius(1779－1848)在人工合成金刚石的过程中就观察到了SiC； 1885年Acheson(1856－1931)首次生长出了SiC晶体(Carborundum)； 1905年，法国科学家Moissan(1852－1907)在美国Arizona的Dablo大峡谷陨石里发现了天然的SiC单晶(Moissanite)； 1907年，英国电子工程师Round(1881－1966)制造出了第一只SiC的电致发光二极管； 1955年，Lely发明了一种采用升华法生长出高质量单晶体的新方法；(转折点) 1978年，俄罗斯科学家Tairov和Tsvetkov发明了改良的Lely法以获得较大晶体的SiC生长技术；(里程碑) 1979年，成功制造出了SiC蓝色发光二极管； 1981年，Matsunami发明了Si衬底上生长单晶SiC的工艺技术，并在SiC领域引发了技术的高速发展； 1987年，Cree Research成立，成为了第一个销售SiC单晶衬底的美国公司。 Ⅰ.SiC for High Power,High Temperature Electronics ? Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC 4H-SiC 晶格常数(?) 5.43 5.65 4.3596 3.081 15.092 3.081 10.061 熔点(K) 1420 1235 2100 2100 2100 热稳定性 Good Fair Excellent Excelle