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CPU光刻技术分析与展望
前言:光刻技术作为半导体工业的“领头羊”,在半个世纪的进化历程中为整个产 业的发展提供了最为有力的技术支撑。历经50年,集成电路已经从上世纪60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件。在 摩尔定律的指引下,半导体技术的集成度每3年提高4倍。
半导体光刻的工艺高低,决定了在单位圆晶片上能够集成晶体管的数目。我们通常所说的90纳米45纳米是指在圆晶片上能够刻蚀的晶体管的最短沟道。沟道越短则芯片的速度越快,时钟的上升沿就越短,进而提高集成芯片的系统时钟。
??? ● 光刻技术在半导体产业中的重要地位
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??? 人类社会对于“刻”、“做标记”并不陌生。作为文明的标志,远古的人们在洞穴中刻出了生命的图腾。作为现代科学的象征,今天的人们在半导体晶片上刻出电路 的结构。远古的人们用的是木头,石头,今天人们更加聪明,需要刻在更加微小的尺度上,人们用的是电和光。同样是一个刻,刻在半导体上就成了电路。
??? 当然实际上没有理论分析地这么简单。光刻只是在半导体上刻出晶体管器件的结构,以及晶体管之间连接的通路。要真正地实现电路,则还需要搀杂,沉积,封装等系列芯片工艺手段。但光刻是第一步,整个芯片工艺所能达到的最小尺寸是由光刻工艺决定的。
?
??? 自从1947年第一个晶体管发明以来,科学技术一直在迅猛发展,为更高级、更强大、成本效益和能效更高的 产品发明铺平了道路。尽管进步巨大,但是晶体管发热和电流泄露问题始终是制造更小的晶体管、让摩尔定律持久发挥效力的关键障碍。毫无疑问,过去40年一直用来制造晶体管的某些材料需要进行替代。
世界上第一个晶体管
??? 从第一个晶体管问世算起,半导体技术的发展已有多半个世纪了,现在它仍保持着强劲的发展态势,继续遵循Moore定律即芯片集成度18个月翻一番,每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度发展。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产,正在对半导体设备带来前所未有的挑战。
?
??? 集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多个工序,其中尤以光刻工艺最为关键,决定着制造工艺的先进程度。随着集成电路由微米级向钠米级发展,光刻采用的光波波长也从近紫外(NUV)区间的436nm、365nm波长进入到深紫外(DUV)区间的248nm、193nm波长。目前大部分芯片制造工艺采用了248nm和193nm光刻技术。目前对于13.5nm波长的EUV极端远紫外光刻技术研究也在提速前进。
1997年,IBM公司开发出芯片铜互联技术
??? 随着芯片集成度的提高,对光刻技术提出了越来越高的要求。在上世纪80年代,普遍认为光学光刻技术所能达到的极限分辨率为0.5,但是随着一些新技术的应用和发展,包括光源、成像透镜、光致抗蚀剂、分步扫描技术以及光刻分辨率增强技术(RET)的发展,使其光刻极限已推进到目前的0.1 以下。尽管有人对光学光刻的潜力充满怀疑,但其仍以顽强的生命力,不断突破所谓的极限分辨率,是目前所采用的主流光刻技术。
Intel提供的一整块300mm晶圆与一个65nm工艺制造晶体管
??? 光刻技术是集成电路的关键技术之一,它在整个产品制造中是重要的经济影响因子,光刻成本占据了整个制造成本的35%。光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因,如果没有光刻技术的进步,集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。
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半导体芯片生产工序简析
??? ● 半导体芯片生产工序简析
??? 要了解芯片的生产工艺,我们需要先知道芯片是怎么被制造出来的。让我们分几个步骤学习芯片的生产过程。
??? 1、硅提纯
??? 生产芯片等芯片的材料是半导体,现阶段主要的材料是硅Si,这是一种非金属元素,从化学的角度来看,由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处,所以具有半导体的性质,适合于
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