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31 4 Vol. 31 No. 4
第 卷 第 期 发 光 学 报
2010 8 Aug. ,2010
年 月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
文章编号:1000-7032 (2010)04-0599-06
有限元分析法在SOI 基微环谐振器设计中的应用
*
, , , , , ,
谢 生 张 彬 毛陆虹 郭维廉 陈 燕 于 欣 张世林
( , 300072)
天津大学电子信息工程学院 天津
摘要: (FEM) SOI (Silicon-on-insulator) ,
利用有限元法 分析了大横截面 脊型波导的本征模式分布 确定了脊型
。 , SOI 、
波导的单模条件 在保证单模传输的情况下 模拟了 微环谐振器中波导耦合器的耦合长度 功率耦合系
。 : W = 1 m ,H = 2 m SOI , L
数与波导尺寸和间距的关系 模拟结果表明 对于 μ μ 的 脊型波导耦合器 耦合长度 C
d , 。 d < 0 . 8 m , L
随波导间距 的增加而增大 功率耦合系数随之减小 在波导间距 μ 的情况下 耦合长度 随着归
C
r , d > 0 . 8 m , L r 。 SOI
一化脊高 的增加而增大 当 μ 时 耦合长度 随 的增加而减小 模拟结果为 微环谐振器的
C
设计和应用提供了理论依据。
: ; ; ;
关 键 词 集成光学 微环谐振器 单模条件 波导耦合器
中图分类号:TN252 ;TN256 PACS :42 . 82 . Et PACC :4282 文献标识码:A
,
成若干个小区域 把每个小区域内的连续场变量
1 引 言
。
近似地用多项式构成的形状函数表示 由于有限
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