电离辐射对MFIS型铁电场效应晶体管电学性能的影响.pdfVIP

摘 要 铁电场效应晶体管(FeFET)作为铁电存储器中的一员，在现代电子工业有广阔 的应用前景，尤其是在国防电子工业中很受重视，其具有高存储密度、非挥发性、 结构简单、强抗辐射能力等优点。金属层(Metal)- 铁电层(Ferroelectric)- 绝缘层 (Insulator)- 硅基底(Silicon) 型铁电场效应晶体管(MFIS-FET) 更是解决了金属层 (Metal)-铁电层(Ferroelectric)-硅基底(Silicon)型铁电场效应晶体管(MFS-FET)铁电层 与硅基底产生反应使器件性能降低的缺点。尽管铁电薄膜和铁电电容有很强的抗辐 射性能，但是MFIS-FET 是否具有很强的抗辐射能力，我们还不得而知。因为电子 器件的微型化，所以每个单元层互相影响是在所难免的。 器件的一部分具有很强 的抗辐射能力，不代表整体具有很强的抗辐射能力，这就是我们平时所熟知的“木 桶原理”。到目前为止，对 FeFET 的抗辐射性能还没有清晰的研究结果。本文以 MFIS-FET 为研究对象，用理论模拟的方法对其进行定量的电离辐射效应模拟研究。 首先，模拟研究了电离辐射环境下铁电层极化变化对其性能的影响；其次，模拟研 究了电离辐射环境下硅基底电荷密度