模拟电子技术1常用半导体器件.pptVIP

例 1. 5 ui = 2 sin ?t (V)，分析二极管的限幅作用。 ui 较小，宜采用恒压降模型 V1 V2 ui uO R ui 0.7 V V1、V2 均截止 uO = ui uO = 0.7 V ui ? 0.7 V V2 导通 V１截止 ui ? 0.7 V V1 导通 V2 截止 uO = ? 0.7 V 思考题: V1、V2 支路各串联恒压源，输出波形如何？(可切至 EWB ) O t uO/ V 0.7 O t ui / V 2 ? 0.7 小 结 理想二极管： 正偏导通，电压降为零，相当于开关合上； 反偏截止，电流为零，相当于开关断开。 恒压降模型： 正偏电压 ? UD(on) 时导通，等效为恒压源 UD(on)； 否则截止，相当于二极管支路断开。 iD / mA uD /V O 四、指数模型 电路中含直流和小信号交流电源时,二极管中含交、直流成分 VDD ui uD R C iD C 隔直流 通交流 当 ui = 0 时 iD = IQ UQ= 0.7 V (硅)，0.2 V (锗) 设 ui = sin wt VDD VDD/ R Q IQ wt O ui UQ iD / mA wt O id 斜率1/rd rd = UT / IQ= 26 mV / IQ 当 ui 幅度较小时， 二极管伏安特性在 Q点附近近似为直线 五 、微变等效电路 对于交流信号 电路可等效为 例 [1. 6] ui = 5sin?t (mV)，VDD= 4 V，R = 1 k?，求 iD 和 uD。 [解] 1. 静态分析 令 ui = 0，取 UQ ? 0.7 V IQ = (VDD?UQ) / R = 3.3 mA 2. 动态分析 rd = 26 / IQ = 26 / 3.3 ? 8 (?) Idm= Udm/ rd= 5 /8 ? 0.625 (mA)， id = 0.625 sin?t 3. 总电压、电流 = (0.7 + 0.005 sin?t ) V = (3.3 + 0.625 sin?t ) mA VDD ui uD R C iD ui ud R id rd 1.2.5 特殊二极管 一、稳压二极管 1.伏安特性 符号 工作条件： 反向击穿 iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmin ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 特性 2.主要参数 1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。 2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好， 小于 Imin 时不稳压。 3. 最大工作电流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM 4. 动态电阻 rZ rZ = ?UZ / ?IZ 越小稳压效果越好。 几 ? ? 几十 ? 二、发光二极管 LED (Light Emitting Diode) 1. 符号和特性 工作条件：正向偏置 一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1 ? 2) V 2. 主要参数 电学参数：I FM ，U(BR) ，IR 光学参数：峰值波长 ?P，亮度 L，光通量 ? 发光类型： 可见光：红、黄、绿 显示类型： 普通 LED ， 不可见光：红外光 ，点阵 LED 符号 u /V i /mA O 2 特性 七段 LED 三、光敏二极管 1．符号和特性 符号 特性 u i O 暗电流 E = 200 lx E = 400 lx 工作条件： 反向偏置 2. 主要参数 电学参数： 暗电流，光电流，最高工作范围 光学参数： 光谱范围，灵敏度，峰值波长 1.3.1 三极管结构与工作原理 一、结构、符号和分类 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B E C B 1.3 半导体三极管 二、电流放大原理 1. 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 实现电路 ui uo RB RC uo ui RC RE 3. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子，