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其次是如何测试三极管的管脚排列判断出管子类型和基极后，使用万用表的电阻档(R×1)档，如下测试： 在基极与另两个管脚间接入一个电阻测量三极管的放大作用，然后更换表笔再测，两次测量中表指针偏离较大的那次，可根据不同类型的管子判断出集电极和发射极。 C e C e NPN PNP Page: * Date: * 常用三极 Page: * Date: * Page: * Date: * ? ?指允许加在二极管两端的反向电压的最大值，超过此值会击穿二极管。加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 3.2.4.2、最高反向工作电压(UR) Page: * Date: * ? ? 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 3.2.4.3、反向电流(IR) Page: * Date: * 测量的方法是先把万用表拨到“欧姆”档(通常用Rx100或Rx1K)进行。 判断二极管好坏：测量正反向电阻，如果反向电阻远大于正向电阻则没有问题，而二者相等、无穷大或为0则说明二极管损坏。 （注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管） 二极管的测量 Page: * Date: * 用指针万用表判断二极管的正负 二极管截止,阻值很大(一般为几百千欧),这就告诉我们黑表笔接触的是二极管的负极,红表笔接触的是二极管的正极。 Page: * Date: * 二极管导通，阻值较小(几十欧到几千欧的范围),这就告诉我们黑表笔接触的是二极管的正极,红表笔接触的是二极管的负极。 用指针万用表判断二极管的正负 Page: * Date: * 思考题 1、二极管按结构分有哪几种？ 2、此符号表示什么“ ” ？ 3、二极管按用途分有哪几种？ 4、导通电压是指什么？ 5、锗二极管和硅二极管的导通电压是多少？ 6、试分析二极管的伏安特性。 Page: * Date: * 3.3. 晶体三极管 3.3.1 内部结构及图形符号 3.3.2 种类及命名 3.3.3 技术参数 3.3.4 特性曲线 3.3.5 基本放大电路 发射区 发射结 基 区 集电结 集电区 晶体三极管具有2个PN结、3个区、从3个区中引出3个电极，3个区分别为发射区、基区和集电区；发射区与基区交界处的PN结称为发射结，集电区与基区交界处的PN结称为集电结。 3.3.1.1 晶体三极管的内部结构 Page: * Date: * 3.3.1.2 晶体三极管的管脚 有两种类型：NPN型和PNP型。中间部分称为基区，相连电极称为基极，用B或b表示（Base）； 一侧称为发射区，相连电极称为发射极， 用E或e表示（Emitter） 另一侧称为集电区和集电极， 用C或c表示（Collector）。 E-B间的PN结称为发射结（Je）， C-B间的PN结称为集电结（Jc）。 Page: * Date: * 3.3.1.3 晶体三极管的图形符号 Page: * Date: * 三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，面积小，作用是发射载流子，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大，作用是收集载流子。基区掺杂浓度最低，且制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米，作用是传输载流子，发射区与集电区的结构不同，不能互换。 3.3.1.4 晶体三极管的工艺特点 Page: * Date: * 发射区 发射结 基 区 集电结 集电区 PNP型 NPN型 Page: * Date: * 3.3.2.1 晶体三极管的种类 依工作频率分为：低频三极管和高频三极管； 依工作功率分为：小功率、中功率和大功率三极管； 依封装形式分为：金属封装、玻璃封装、塑料封装； 依导电特性分为：P