高硅铝电子封装壳体激光焊接温度场的数值模拟.doc

高硅铝电子封装壳体激光焊接温度场的数值模拟 王成1 华鹏2 雷党刚3 曹国光1 李萌盛2 （1.安徽博微长安电子有限公司，六安237010；2.合肥工业大学，合肥230009； 3.中国电子科集团第38研究所，合肥230088） 摘要 本文采用数值模拟方法研究不同参数下高硅铝合金壳体脉冲激光焊时的温度场，根据脉冲激光功率特点引入三角周期函数，实现了热源功率的循环加载。分析了激光脉冲宽度、焊接速度变化对焊缝截面尺寸以及壳体温度分布的影响，确定了能够保证焊缝外观成型和密封性能要求的合理规范。通过对焊接动态温度场的测定，验证了模拟的准确性。 关键词 高硅铝；脉冲激光焊；有限元；热源模型 1 前言 近年来，微电子技术的迅速发展对电子封装材料的性能提出了更高的要求，热膨胀系数、散热和轻量化是发展现代电子封装材料所必须考虑的三大要素。高硅铝合金因具有低得热膨胀系数、高的热导率、低密度和良好的机加工性能而具有广阔应用前景的一种新型电子封装材料，正成为第三代电子封装材料的代表[1]。但是高硅铝合金由于高的导热性、内部含有大量的硅颗粒及表面氧化膜的存在，熔焊性能差，极易形成裂纹等焊缝缺陷。高质量的连接问题已成为制约该种材料进一步推广应用的瓶颈问题[2]。 激光焊接是利用高能量密度的激光作为热源的一种高效精密焊接方法，具有热影响区窄、接头强度高、焊缝美观等优点，适用于电子封装过程[3-4]