数字集成电路设计之电路参数及性能.pdfVIP

章 四 第 章 四 第 电路参数及性能 电路参数和性能 4.1 MOS晶体管的参数 阈值(开启)电压、沟道长度调制效应、漏-源截止电 流；直流导通电阻；栅-源直流输入电阻；栅-源击穿电 压；漏-源击穿电压 4.2 信号传输延迟 CMOS门延迟、连线延迟、电路扇出延迟、大电容负载 驱动电路 4.3 CMOS 电路功耗 CMOS 电路的静态功耗、CMOS 电路的动态功耗、电路 总功耗、功耗管理 电路参数和性能 4.4 CMOS 电路的闸流效应 闸流效应原因、闸流效应的控制 4.5 电路模拟HSPICE简介 文件格式、应用例子 4.6 设计例子 章 章 四 四 第 第 §4.1 MOS 晶体管的参数 §4.1 MOS 晶体管的参数 §4.1 MOS晶体管的参数 §4.1 MOS晶体管的参数 §4.1.1 阈值（开启）电压 1. 表面场效应 场效应—电场在半导体中感应电荷，VG控制FET 电流 +V G VOX是氧化层压降 空穴 + _ VOX Φ 是表面电势 s Φ 所以: VG =VOX+ Φ s s 表面电荷密度 Qs = - CoxVG Q 是半导体表面的所有电荷 s MOS 结构 §4.1 MOS晶体管的参数 §4.1 MOS晶体管的参数 反型层 ① VGVTn 形成耗尽层 +V 栅氧层下电荷全为不能移动的 G 负离子体电荷，形成耗尽区，且 Qs=QB 耗尽层（高阻层） ② V V VGVTn 形成反型层 G Tn Qs=Q +Qe B