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第55卷第5期 真 空 VACUUM Vol.55，No.5
真 空 VACUUM 第55卷
2018年9月 Sep. 2018
基于 CVD直接生长法的碳纳米管场发射阴极
周彬彬，张 建，何剑锋，董长昆
（温州大学 微纳结构与光电器件研究所，浙江 温州 325035）
摘 要：碳纳米管（CNT）场发射阴极具有启动快、分辨率高、寿命长、功耗小等优点，在多种真空电子设
、微波管、
备与器件上，包括平板显示器、真空测量 X 射线管等得到了应用。本文讨论了碳纳米管阴极的主
要制备方法以及存在的问题，介绍了基于化学气相沉积法和阳极化工艺、在含催化金属基底直接制备碳
纳米管冷阴极所具有强附着力特点，以及应用在X射线管等强流真空电子器件上的优势。文章介绍了在
不锈钢基底直接生长 CNT 阴极的场发射性能，其开启电场为 1.46V/μm。与常规催化金属镀膜层上生长
的CNT 阴极相比，大电流发射与稳定性显著提高。金属基底阳极化工艺显著改善碳纳米管结构与场发射
性能。直径 2cm 的不锈钢基底上生长的CNT具有晶体性好、分布均匀等特点，场发射性能提高。在镍基
2
底上生长的 CNT 阴极电流密度可以达到500mA/cm 以上。
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关 键 词 碳纳米管；场发射；直接生长法；阳极化；化学气相沉积
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中图分类号 TN304;TH813;TB772;O462.4 文献标识码：A 文章编号：1002-0322（2018）05-0010-05
doi：10.13385/ki.vacuum.2018.05.02
Carbon nanotube field emission cathode based on direct growth technique
ZHOU Bin-bin, ZHANG jian, HE Jian-feng, DONG Chang-kun
（Institute of Micro-Nano Structures Optoelectronics, Wenzhou University, Wenzhou 325035, China）
Abstract：Carbon nanotube(CNT) field emission cathode has the advantages of quick start, high resolution, long lifetime, and
low power consumption. The CNT cathode can be employed in a variety of vacuum electronic devices and components,
including flat panel display, vacuum measurement, and vacuum electronic devices. This article discusses major methods for
development of carbon nanotube cathode, and emphasizes on direct growth of CNT emitters on catalytic substrate by chemical
vapor deposition and substrate anodization with strong adhesion and
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