导体、绝缘体和半导体的能带论解释.pptVIP

05_03_导体绝缘体半导体能带论解释 —— 晶体中电子在电场和磁场中的运动 05_03 导体、绝缘体和半导体的能带论解释 —— 问题的提出 导体的电阻率 半导体的电阻率 绝缘体的电阻率 —— 所有固体中都包含大量的电子 但电子的导电性却相差非常大 —— 导体 ___ 半导体 ___ 绝缘体的区别在哪里？ —— 电子的能带理论解释了导体与绝缘体 —— 特鲁特关于一些金属导电电子数 等于原子的价电子数的假设是相当成功 —— 其它一些固体却不是这样 1 满带中的电子对导电的贡献 电子能量是波矢的偶函数 —— 状态和 状态中电子的速度大小相等 __ 方向相反 波矢为 的电子的速度 波矢为 的电子的速度 1) 在无外场时 两个电子产生的电流 —— 对电流的贡献相互抵消 —— 热平衡状态下 电子占据波矢 的状态 电子占据波矢 的状态 —— 几率相等 无外场 —— 晶体中满带不产生电流 —— 和 状态电子的速度大小相等__方向相反 2) 在有外场 作用时 电子受到的作用力 动量的变化 —— 所有的电子状态 以相同的速度沿着电场的反方向运动 —— 电子的运动不改变布里渊区中电子的分布 满带中的电子不产生宏观电流 2 导带中的电子对导电的贡献 1) 无外场存在时 —— 电子填充部分状态 —— 状态 和 的电子对电流的贡献相互抵消 —— 热平衡状态下 电子占据两个状态 几率相等 导带中的电子 —— 无外场作用时不产生电流 2) 在有外场作用时 —— 外场的作用使布里渊区的状态分布发生变化 —— 所有的电子状态以相同的速度沿着电场的反方向运动 逆电场方向上运动的电子较多 导带中的电子产生电流 导体、半导体、绝缘体模型 绝缘体 —— 原子中的电子是满壳层分布的 —— 在电场的作用下不产生电流 —— 价电子刚好填满了许可的能带 ___ 形成满带 —— 导带和价带之间存在一个很宽的禁带 一般情况下 __ 价带之上的能带没有电子 导体 —— 在一系列能带中除了电子填充满的能带以外 还有部分被电子填充的能带 ___ 导带 ? 原胞中只有一个价电子的固体 ? 原胞中含有偶数个价电子的固体__Si_14、Ge_32、C_6 电子填充半条能带 —— 导体 —— Li __3、Na__11、K__19、Cu__29、Ag__47 电子填满一个能带 —— 绝缘体 ? 二价金属 —— 原胞2个电子__Be_4、Mg_12、Zn_30 —— 绝缘体 ？？？ 是导体 —— 能带存在交迭 半导体 —— Si、Ge —— 禁带宽度较窄 ~ 2 eV以下 —— 依靠热激发可将满带中的电子激发到导带中 因而具有导电能力 —— 热激发到导带中的电子数目随温度按指数规律变化 半导体的电导率随温度的升高按指数形式增大 半金属 —— V族元素 Bi __ Sb __ As —— 三角晶格结构 __ 原胞有偶数个电子 —— 具有金属的导电性___能带的交叠 —— 导电能力远小于金属 —— 能带交叠较小 对导电有贡献的载流子数远远小于普通的金属 3 近满带和空穴 —— 少数电子受热 __ 光激发 从满带跃迁到上面的空带 原来的满带变为近满带 空穴 —— 描述近满带的导电性 设想近满带中只有一个 态没有电子 电场的作用下 —— 近满带产生的电流 近满带中所有电子 对电流的贡献 —— 近满带产生的电流 总电流密度 —— 近满带的总电流相当于一个带正电q的粒子 以空状态 中电子的速度 所引起的 —— 如果在空的 中放入一个电子 近满带变为满带总的电流为零 近满带的电流密度 V —— 晶体体积 外场作用下满带不产生电流 两边对时间微分 电子受到的洛伦兹力 加速度 —— 近满带产生电流变化规律 —— 正电荷q在电磁场中受到的力 —— 电磁场中近满带电流的变化等同于 一个带正电q具有正有效质量?m*?的粒子 近满带电流变化 结 论 —— 当满带顶附近有空状态 时 满带产生的电流 __ 电流在外电磁场中的变化 相当于一个带正电q，正质量?m*?、速度 的粒子 这样一个假想的粒子 ——