基于DS18B20在单片机AT89S52上实现的数字式温度计.docVIP

基于DS18B20在单片机AT89S52上实现的数字式温度计 功能要求 数字式温度计要求测温范围为-50~110℃，精度误差在0.1 ? 方案论述 ? 在日常生活及工农业生产中经常要用到温度的检测及控制，传统的测温元件有热电偶和热电阻。而热电偶和热电阻测出的一般都是电压，再转换成对应的温度，需要比较多的外部硬件支持，硬件电路复杂，软件调试复杂，制作成本高。 ?? 本数字温度设计采用美国DALLAS半导体公司继DS1820之后推出的一种改进型智能温度传感器DS18B20作为检测元件，测温范围为-55~125℃，最大分辩率可达0.0625 ? 系统硬件电路的设计 温度计电路设计原理图如下图所示，控制器使用单片机AT89S52，温度传感器使用DS18B20，用4位共阴LED数码管以动态扫描法实现温度显示 基于DS18B20在单片机AT89S52上实现的数字式温度计 温度传感器工作原理 DS18B20功能特点 1．采用单总线技术，与单片机通信只需要一根I/O线，在一根线上可以挂接多个DS18B20。 2．每只DS18B20具有一个独有的，不可修改的64位序列号，根据序列号访问地应的器件。 3．低压供电，电源范围从3~5V，可以本地供电，也可以直接从数据线上窃取电源（寄生电源方式）。 4．测温范围为-55℃~+125℃,在-10℃~85 5．可编辑数据为9~12位，转换12位温度时间为750ms（最大） 6．用户可自设定报警上下限温度 7．报警搜索命令可识别和寻址哪个器件的温度超出预定值。 8．DS18B20的分辩率由用户通过EEPROM设置为9~12位 9．DS18B20可将检测到温度值直接转化为数字量，并通过串行通信的方式与主控制器进行数据通信。 ? DS18B20内部结构及功能 DS18B20的内部结构如下图所示，主要包括：寄生电源，温度传感器，64位ROM和单总线接口，存放中间数据的高速暂存器RAM，用于存储用户设定温度上下限值的TH和TL触发器，存储与控制逻辑，8位循环冗余校验码（CRC）发生器等7部分 ? 温度和数字量的关系 ROM操作命令 指令 说明 读ROM命令（33H） 读18B20的序行号 搜索ROM命令（F0H） 识别总线上各器件的编码 匹配ROM命令（55H） 用于多个DS18B20的定位 跳过ROM命令（CCH） 此命令执行后，存储器操作将针对总线上的所有操作 报警搜索ROM命令（ECH） 仅温度超限的器件对此命令做出响应 RAM操作命令 指令 说明 温度转换（44H） 启动温度转换 读暂存器（BEH） 读全部暂存器内容，包括CRC字节 写暂存器（4EH） 写暂存器第2,3和4个字节的数据 复制暂存器（48EH） 将暂存器中的TH，TL和配置寄存器内容复制到EEPROM中 读EEPROM（B8H） 将TH，TL和配置寄存器内容从EEPROM中回读至暂存器 字节 ROM RAM 0 产品代号 温度低8位 1 ? 48位 器件 序列 号 温度高8位 2 TH 3 TL 4 配置寄存器 5 保留 6 保留 7 CRC 保留 8 ? CRC 温度配置寄存器的格式如下 0 R1 R2 1 1 1 1 1 分辩率设置如表 R1 R2 分辩率设置/位 测温精度/C 转换时间/ms 0 0 9 0.5 93.75 0 1 10 0.25 187.5 1 0 11 0.125 375 1 1 12（默认） 0.0625 750 DS18B20的通信协议 DS18B20器件要求采用严格的通信协议，以保证数据的完整性。该协议定义了几种信号类型：复位脉冲，应答脉冲时隙；写0，写1时隙；读0，读1时隙。与DS18B20的通信，是通过操作时隙完成单总线上的数据传输。发送所有的命令和数据时，都是字节的低位在前，高位在后。 1．? 复位和应答脉冲时隙 每个通信周期起始于微控制器发出的复位脉冲，其后紧跟DS18B20发出的应答脉冲，在写时隙期间，主机向DS18B20器件写入数据，而在读时隙期间，主机读入来自DS18B20的数据。在每一个时隙，总线只能传输一位数据。 2．? 写时隙 当主机将单总线DQ从逻辑高拉为逻辑低时，即启动一个写时隙，所有的写时隙必须在60~120us完成，且在每个循环之间至少需要1us的恢复时间。写0和写1时隙如图所示。在写0时隙期间，微控制器在整个时隙中将总线拉低；而写1时隙期间，微控制器将总线拉低，然后在时隙起始后15us之释放总线。 3．? 读时隙 ?? DS18B20器件仅在主机发出读时隙时，才向主机传输数据。所以在主机发出读数据命令后，必须马上产生读时隙，以便DS18B20能够传输数据。所有的读时隙至少需要60us，且在两次独立的读时隙之间，至少需要1us的恢复时间。每个读时隙都由主机发起，至少拉低总线1us。