第四章半导体存储器1of2.ppt

计算机原理与应用 微型计算机的外部结构框图 存储系统的分级结构示意图 第四章 半导体存储器 §4.1概述 一、存储器的分类 1．按存储器介质分 只要有两个稳态分别表示0/1 ① 电路 ② 磁 ③ 其他 2．按和CPU的联系分 ①?内存：直接挂在CPU总线或计算机系统总线上， CPU用访问存储器的指令进行读／写。 速度快、量小、一般用半导体存储器。 ②??外存：经过I／0接口挂在计算机系统总线上， CPU用I / 0指令进行读写。 速度慢、量大、如磁／光盘。 CPU通过内存缓冲区来和外存交换数据。 二、半导体存储器分类 2. 随机读／写存储器（RAM） ①静态(SRAM):内容不易逝、速度高、价贵。 ②动态(DRAM):内容易逝、慢、价廉。 三、存储器的主要指标 　２、? 速度 　①读取时间：存储器从收到有效地址到 输出数据稳定。 　②写入时间：从地址信号、写信号有效 到存储器锁存数据。 　③存取速度：取决于二者中较大者。 四、存储器的组织结构 bit 记忆体（例）--- 静态RAM的六管基本存储单元 集成度低，但速度快， 价格高，常用做Cache。 bit 记忆体（例）--- 动态RAM的单管基本存储单元 集成度高，但速度较慢，价格低，一般用作主存。 地址译码器： 接收来自CPU的n位地址，经译码后产生2n个地址选择信号，实现对片内存储单元的选址。 控制逻辑电路： 接收片选信号CS及来自CPU的读/写控制信号，形成芯片内部控制信号，控制数据的读出和写入。 数据缓冲器： 寄存来自CPU的写入数据或从存储体内读出的数据。 存储体： 存储体是存储芯片的主体，由基本存储元按照一定的排列规律构成。 存储器容量的扩展 字扩展 存储芯片的字、位同时扩展： 用16K×4bit的芯片扩展实现64KB存储器 片选信号CS §4．2 RAM电路 一、静态RAM—例如6116 特点：n条地址可寻址2n组 m条数据线对应每组内有m位 静态RAM举例--6116 　 特点：行／列地址分时复用地址引脚, 故芯片n条地址引脚可得22ｎ组地址 控制线WE、CAS、RAS WE为读写数据允许，低电平输入时写有效； 高电平输入时读有效； CAS为行地址选通，低电平输入有效； RAS为列地址选通，低电平输入有效。 电源线 Vcc、Vss 2164ADRAM芯片的供电电压为5V P194图4.6 Intel 2164A 内部结构示意图 2164ADRAM的读写时序 §4.3 ROM电路 掩模型ROM 可编程型PROM 光擦除型EPROM 电擦除型EEPROM 3. EPROM—光擦除型 由浮栅雪崩注入的FAMOS器件构成。用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便可再次改写。 4. 电擦除型EEPROM 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又能失电保存信息，具备RAM、ROM的优点。但写入时间较长。 §4.3 ROM电路 EEPROM（电可擦可编程）例 (2K×8bit)（并行） 三、快闪存储器（Flash Memory） EPROM结构：绝缘栅存储信息 EEPROM擦／写方式 集成度高 P205图4.20 2816的逻辑符号 P205 EEPROM 2816引脚和工作方式 原理上：FLASH属于ROM型，但可随时改写信息 功能上：FLASH相当于RAM * 第四章 半导体存储器 §4.1概述 ? ? 二、半导体存储器分类 1. 只读存储器（ROM） ①掩膜型：器件制造时写入内容。 ②熔丝型（PROM—可编程）：用户写一次。 ③光可擦型(EPROM—可擦可编程): 用紫外光擦后再重写。 ④电可擦型(E2PROM): 可单字节在线擦／写。 ⑤闪速存储器(Flash Memory--P208):