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* 第四节 半导体材料 半导体能带结构 价带 (最上面的满带) 导带 (最下面的空带) 带隙: Eg 纯净半导体 无缺陷和杂质的半导体, 也称本征半导体. 杂质半导体 掺入杂质的半导体, 也称非本征半导体. 杂质态分两类: 施主和受主 施主: 在带隙中提供带有电子的能级之杂质. 受主: 在带隙中提供空的能级之杂质. 空带 禁带 满带 半导体能带结构 * Si Si Si Si Si Si Si P ? Si掺杂VI元素的结构示意图 n 型半导体 Si B Si Si Si Si Si Si + Si掺杂III元素的结构示意图 p 型半导体 E T 0 T = 0 导带 n 型 施主和受主 施主 满带 E T = 0 T 0 导带 p 型 受主 满带 * n 型半导体 主要依靠电子传导电流的半导体 p 型半导体 主要依靠空穴传导电流的半导体 电子和空穴是半导体中的两种载流子 多子和少子 n 型半导体中主要依靠电子导电, 同时存在少量空穴, 电子称为多数载流子(多子), 空穴称为少数载流子(少子). p 型半导体中空穴是多子, 电子是少子. 载流子浓度 指单位体积内自由电子或空穴的数目，分别用电子浓度（n）和空穴浓度（p）表示. 非平衡载流子 处于热平衡状态的半导体, 在一定温度下, 载流子的浓度是一定的, 其浓度称为平衡载流子浓度. 在外界作用下, 有可能使电子浓度和空穴浓度偏离平衡值. 超出热平衡浓度的多余载流子, 称为非平衡载流子, 也称过剩载流子. * 非平衡载流子会自发复合 (一对电子和空穴消失) 非平衡载流子的寿命: 非平衡载流子在复合之前平均存在的时间, 用少 数载流子的寿命描述. 在简单情况下, 过剩载流子 的浓度: 式中 ?n0 为时间 t=0 时, 过 剩少数载流子浓度; ? 为少 数载流子寿命; Ｐ=１/ ? 为非平衡载流子的复合几率. 晶体内过剩少子可以直接复合 和经过复合中心实现间接复合. 复合中心:一些能够引起电子 和空位复合过程的杂质和缺陷. 间接复合是大多数半导体的主 要复合过程. * 正是杂质或缺陷能级的存在,使半导体的禁带能隙变窄甚至变为零禁带, 从而导致半导体更容易导电. 载流子的迁移率 半导体中的电子和空穴在外加电场作用下将产生净加速度和净位移. 这种在电场力作用下载流子的运动称为漂移运动. 载流子电荷的净漂移形成漂移电流. 载流子的迁移率? : 单位电场作用下载流子的平均漂移速度. （ ） - 载流子的平均漂移速度；E-电场强度；?-驰豫时间；?-迁移率 迁移率是载流子在电场作用下运动速度大小的度量，载流子运动得快，迁移率大，运动得慢，迁移率小。 迁移率与散射几率有关, 正比于温度 Ｔ 的 ３/２ 次方. 载流子受到的散射: 晶格散射、电离杂质散射、缺陷或中性杂质引起晶格畸变所产生的散射等. 总散射几率为各种散射几率之和, 故总迁移率? 与各种迁移率? i 的关系为: * 半导体的电导率: J-电流密度；E-电场强度；n -单位体积载流子数（载流子浓度）； ?-迁移率 半导体的电导率为电子和空穴两种载流产生的电导率之和： n、p分别是电子、空穴浓度， ?e、?h分别是电子、空穴的迁移率 除漂移电流外, 半导体中的载流子还可形成另一种形式的电流: 扩散电流 , 它是由于载流子浓度分布不均匀, 产生扩散运动而引起. 扩散系数 Ｄ(cm2/s) 与迁移率? 的关系: 载流子浓度和迁移率是半导体导电性质的两个重要参量. * 半导体材料的分类 按组成分为: 元素半导体 化合物半导体 有机物半导体 非晶态半导体 半导体陶瓷 用途 晶体管、激光器、集成电路、光电与微波器件、传感器等电子与电气元器件. 是信息时代的基石. * 一. 元素半导体 元素半导体: 由一种元素组成的半导体 具有半导体特性的元素: 其中: 金刚石、B、P、S、I: 禁带很宽, 晶体生长困难. 灰锡、Bi、灰砷、黑锑: 不稳定, 称半金属. Se、Ge、Si: 作半导体器件 * Si: 性能和工艺性好, 资源丰富, 最广泛使用 Ge: 在红外探测器和高频小功率晶体管器件方面占有优势 应用中的 Si 、 Ge 大多数为掺杂后的非本征半导体 Si、Ge 单晶: 高纯度、大尺寸、高均匀度, 使成本急剧下降 * 二. 化合物半导体 组成 种类多, 有以共价键为主的: IIIA-VA族化合物、 IIA-VIA族化合物、 IVA-IVA族化合物和氧化物半导体 特点 性能上