第四章 p-n结二极管.pptVIP

* * 在偏置Va作用下，耗尽区的静电流是漂移电流与扩散电流的差值。假设： （近似2） 得到： 所以： 假设： （近似3） 依据电中性条件，得到： 即少子远小于多子 耗尽区内无产生和复合电流，且耗尽区内电子和空穴电流恒定 偏压下少数载流子浓度 耗尽区边缘少数载流子浓度随外加电压增加而呈指数增加。 少数载流子注入：由pn结两边的偏压来控制少数载流子浓度。 * 耗尽区边缘少数载流子浓度与偏压Va的关系： 目标：加偏压后电流电压关系 * N区（远离扩散区）：多子（电子）的漂移电流。 N区（扩散区）：少子（空穴）电流与多子（电子）的电流互换。 结区：电流连续。 P区（扩散区）：少子（电子）电流与多子（空穴）的电流互换。 P区（远离扩散区）：多子（空穴）的漂移电流。 动画 PN结正偏 4.5 准中性区内的扩散流 如果半导体材料均匀掺杂区是准中性的，那么当少数载流子流不是很小，或者说多数载流子流不是很大时： 少数载流子可以认为不受电场的影响，主要以扩散方式流动。 * 目标：加偏压后电流电压关系 * 归纳为求解电压与少子的扩散电流关系。 电子电流和空穴电流的大小在不同区内各不相同，但二者之和保持不变，只要求出通过pn结任何一个截面的总电流就可以。 J=b处的电子漂移电流+b处的空穴扩散电流 =a处的电子（少子）扩散电流+b处的空穴（少子）扩散电流 4.6 暗特性 4.6.1 整个pn结二极管中的载流子浓度分布 n区x位置空穴浓度： p区x’位置电子浓度： 在准中性区，为保持空间电荷中性，多数载流子必须有相应的变化。尽管绝对变化相同，多数载流子浓度的相对变化较小。 分别为空穴和电子的扩散长度。 * 4.6.2 流过二极管的内电流 在准中性区，少子电流是扩散电流，电流为： 得到耗尽区的电流： 由于电流不随位置变化，所以二极管内的电流为： * 理想二极管定律 在理想的二极管中，电流与电压的关系为： I为通过二极管的净电流，I0为反向暗饱和电流（在没有光照情况下输出的电流），V是施加在二极管两端的电压，q和k分别代表电荷的绝对值和玻耳兹曼常数，T则表示绝对温度（单位为K）。 * * I 正向偏置下电流的方向 非理想二极管定律 在理想的二极管中，电流与电压的关系为： * n为理想因子（也叫n因子）。理想因子是描述pn结质量和电池的复合类型的测量量。对于复合类型那一节所讨论的简单的复合来说，n的值为1。然而对于其它特别是效应很强的复合类型来说，n的值应该为2。 4.7 光照特性 两个条件： 1. 被吸收的光可将材料中的电子激发到高能级； 2. 处于高能级的电子能从电池中移动到外部电路，在外部电路的电子消耗了能量后回到电池中。 太阳能电池的结构与工作原理 * 光照下的pn结 这种漂移电流就是光生电流，是由少子运动决定的。 主要过程： 1. 吸收入射光电子并产生电子-空穴对； 2.在内电场作用下，电子向N型区漂移，空穴向P型区漂移。 电流方向：N型区流向P型区，与扩散电流方向相反。 * 光照下理想二极管内的电流-电压关系 假设光照下，整个器件上的电子-空穴对的产生率G相同，得到： n区x位置空穴浓度： p区x’位置电子浓度： 可见，光生电流IL等于二极管耗尽区及其两边一个少数载流子扩散长度内，全部光生载流子的贡献。 准中性区少子相应电流密度为： 耗尽区电流密度变化为： 可得电流-电压关系： A为太阳电池的面积 * 太阳能电池的伏安曲线 太阳能电池的伏安曲线是电池二极管在无光照时的伏安曲线与光生电流的叠加。 式中IL为光生电流。 光的照射能使伏安曲线移动到第四象限，意味着能量来自电池。用光照射电池并加上二极管的暗电流，则二极管的方程变为： 无光照时： 短路时： 开路时： * 4.8 太阳能电池的输出参数 4.8.1 短路电流 Isc 4.8.2 开路电压 Voc 4.8.3 填充因子FF 4.8.4 转换效率 * 4.8.1 短路情况 在电池短路的情况下，将不会出现电荷的聚集，因为载流子参与了光电流的流动。 短路电流 Isc * 短路电流Isc 短路电流是指电池电压为零时（电池短路时）流过电池的电流，通常记作Isc。 对于电阻阻抗最小的理想太阳能电池，短路电流等于光生电流，所以短路电流与光生载流子的产生与收集有关。 短路电流是电池能输出的最大电流。 * 影响Isc大小的因素 太阳能电池的表面积； 光子的数量（即入射光的强度）； 入射光的光谱； 电池的光学特性（吸收和反射）； 电池的收集概率。 * 4.8.2 开路情况 * 内电场 电子?N区 产生与内电场相反的电场 空穴?P区 削弱内电场 载流子运动达到新的平衡 扩散电