第十章 存储器.ppt

第十章 存储器 10.1存储器的结构 10.2掩膜编程ROM 10.3现场可编程ROM 10.4可擦除可编程ROM（EPROM） 10.5电可擦除可编程ROM（E2PROM） 10.6静态随机存储器（SRAM） 10.7动态随机存储器（DRAM） 存储器的分类： 1.挥发性存储器 SRAM ， DRAM，PSRAM 2.非挥发性存储器 （1）掩膜编程 ROM （2）现成可编程ROM PROM，EPROM，EEPROM （3）FLASH（闪存） NOR Flash，NAND Flash 10.1存储器的结构 构成： 1）存储体 2）地址译码器 3）读写电路 10.2掩膜编程ROM 掩膜编程ROM可以用的编程方式： 1）接触孔的掩膜版来编程 2）“存在”和“不存在”栅 3）利用离子注入使MOS管永远截止（或永远导通） 本节以96字符发生器为例加以说明。 1.存储矩阵 每个字符由5×9个存储单元组成的点阵构成。 通过控制45个点的明暗来显示字符图形，存1的单元是亮点，存0的单元是暗点。 如图10.3所示：每个字符5列9行 这样存储1个字符就需要45个点，即45位（bit）, 这些信息存储在不可擦除的存储器中，如图10.4所示： 位线（BL） 字线WL） 把45个存储单元（MOS管）排成一行，MOS管的S极接地，G极接到一起称为字线 （WL），D极引出接一个负载管到VDD。 存1的单元是亮点，是薄栅MOS管，当字线为高电平时，可导通；存0的单元是暗点，是厚栅MOS管，字线为高电平时也不会导通。 为了减小位线的长度，实际的存储矩阵采用48字线、90位线的形式。（？） 2.字译码、列译码、列分离1）字译码电路 2）列译码、列分离 10条列选择线 9个输出端 10.3 现场可编程ROM（PROM） 是一次性写入ROM，信息一旦写入，就不能再改。 1.熔丝型PROM P188图10.8 2.结破坏型PROM P189图10.9 10.4 可擦除可编程ROM（EPROM） 1）FAROM ( floating-gate avalanche-injection)：其栅极为浮栅，浮栅上没有电荷时，MOS管截止，表示存储信息0； 当D极加足够地的负电位时，PN结发生雪崩倍增，有电子穿越氧化层进入浮栅，并存储在浮栅上，存储足够电子时MOS管导通，表示存储信息1。 2）SIMOS：有两个重迭的多晶硅栅，下面的是与外界绝缘的浮栅，上面的是选择栅G。 对于NMOS管来说，浮栅中没有注入电子，开启电压较低，为1状态；注入电子厚开启电压变高，为0状态。 10.5电可擦除可编程ROM（E2PROM） EPROM写入时需要高压，擦除时需紫外线等，使用不方便； E2PROM利用低能电子穿过氧化物实现编程，被称之为隧道效应，且这种隧道效应可逆，所以E2PROM可实现电擦除。 其结构见P194图10.15 E2PROM使用非常广泛，如89C51系列单片机 10.6静态随机存储器（SRAM） 静态RAM存储单元的核心部分是一个双稳态触发器，利用触发器的两个状态表示1和0。 耗尽负载RAM CMOS RAM CMOS RAM版图 10.7动态随机存储器（DRAM） 目前大容量动态随机存储器都是单管单元，由一个MOS管和一个电容构成，其中MOS管作为开关，电容作为存储单元 PS为电容的一极； 工作时，PS加VDD 使PS下的衬底表面 形成反型层，与MOS 管的S极连在一起构成 电容的另一极。 因为电容的漏电，DRAM需要定期刷新。 第十章 存储器. 谢谢