第十六十七次课 激光原理.pptVIP

第二，准确调整Ｑ开关的打开的延迟时间 接通电光晶体上的高压退压电路,发射动态激光,微调氙灯开始泵谱到退去Vλ/4电压之间的延迟时间电位器,边测量激光的强弱,边微调延时电位器旋纽,直到激光输出最强为止. 消除电光晶体的光弹效应 在外电场作用下,晶体内部会产生机械应力使晶体的折射率发生变化. 给晶体加一个瞬时的负高压来消除光弹效应所造成的影响 思考：是否可以不用偏振器件来实现调Q？ ④单块双45°电光调Ｑ激光器 利用LN晶体的横向电光效应 单块双45°电光调Ｑ激光器结构 LN45°斜面矩形长方体 光轴Z轴 电压X轴 不影响通光,电场均匀 优点: 不需要加偏振器 插入损耗小 结构简单 工作原理 当在晶体上加有Uλ/2 时 ,通过晶体的o光和e光都偏离了原来入射光的传播方向.此时, Q开关处于关闭状态,不能形成激光振荡. 双45°LN晶体等效于在两个偏振器之间夹一个电光晶体 典型的双45°LN调Q器件的脉宽为6～10ns ,峰值功率大于10MW,单脉冲能量可达200mJ 消光比：KDP晶体可达104以上，LN晶体最高可达103 半波电压：对1064nm激光，KD*P【Vλ/2~6000】， LiNbO3【Vλ/2~9250(d/L)】 抗激光破坏阈值：KD*P可达500MW/cm2，LN晶体低 透过率：KD*P－从可见光到1.4um,透过率85%，LN晶体－0.4～～5um,最高透过率可达98% 哪种好？ 利用KD*P(磷酸二氘钾）型晶体的纵向电光调Q 利用LiNbO3 （铌酸锂）型晶体的横向电光调Q。 比较： 设计电光调Q激光器要考虑的问题 调制晶体 消光比高 半波电压低 抗激光破坏阈值高 透过率高 调制器的电极结构 要形成均匀电场 纵向运用用环形电极，横向运用用平板电极。 对工作物质的要求 上能级寿命长，抗激光破坏阈值高。 对泵浦源的要求 泵浦光的脉宽和工作物质的上能级寿命要匹配。 对Q开关控制电路的要求 开关速度要快，控制要精确。 巨脉冲形成的三个特殊时刻： １.Ｑ值阶跃上升的时刻（t0) 2．雪崩过程形成的时刻（ tＤ） ３.光子数密度达到最大值的时刻（ tp) 三个过程： １.自发辐射为主的过程 ２.雪崩过程 ３.光子数密度衰减的过程 两个时间： 从Q值最小变到最大需要的时间叫开关时间 tD-t0称为脉冲建立的延迟时间 Q开关开启的快慢直接影响巨脉冲的性能 快开关 开关时间远小于脉冲建立的延迟时间 阶跃函数开关 慢开关 开关时间与脉冲建立的延迟时间相差不多或者更长 线性函数开关 抛物线函数开关 不足：容易引起多脉冲的形成 优点： 开关时间短（可以小到10-9秒）；效率高；调Q的时间可以精确控制；系统工作稳定；重复频率高；输出脉冲窄（10-20ns);峰值功率高（几十兆瓦以上） 主要缺点： 半波电压较高，需要几千伏的高压脉冲，对其他电子线路易造成干扰。 由于较高的插入损耗使激光器无法振荡而不适用于连续泵浦激光器。 KDP易潮解，使用时必须密封安装。 电光调Q技术特点 2、声光调Q激光器 为获得高的衍射效率，通常采用布拉格衍射方式。 你能说说怎样利用声光效应来调节腔内损耗吗？ 声光介质主要采用熔融石英、玻璃、钼酸铅等。换能器常采用石英、铌酸锂等晶体制成。吸声材料常用铅橡胶或玻璃棉等。 声光调Q激光器基本结构和工作原理 产生布拉格衍射时，衍射光相对于0级光有2θ角的偏离（如当超声频率在20～50MHz范围时，石英对1.06μm的光波的衍射角为0.3-0.5°），这一角度完全可以使光波偏离出腔外，使谐振腔处于高损耗低Q值状态。 工作物质 反射镜 反射镜 驱动源 声光介质 Bragg衍射 0级 1级 声光调制器的1级光为腔内损耗，0级光为激光振荡 声光调Q激光器的动态实验 优点: 性能稳定、重复频率高、调制电压低（一般小于200V）； 可获得中小峰值功率（几~几百KW）、高重复频率（1~几十KHz）的短脉冲（几十~几百纳秒），且脉冲的重复性好； 属于主动调Q快开关类型，开关时间在100ns以上。 缺点： 对于高能量激光器的开关能力较差，容易“关不死门”，所以，只能用于低增益的连续激光器上。 脉宽比较宽 开关速度比电光Q开关慢。 声光调Q技术特点 3、可饱和吸收调Q激光器 利用某些物质对入射光具有强烈的非线性吸收而改变腔内损耗从而达到调Q的目的。 目前应用的可饱和吸收物质有两类：可饱和吸收晶体和可饱和吸收染料。 染料调Q在重复频率不很高的中小功率情况下，是最经济实惠的调Q方法。 ①可饱和吸收染料调Q原理 某些有机染料的吸收系数并不是常数，当在较强激光作用下，其吸收系数随光强的增加而减小直至饱和，对光呈现透明的特性，这