纳米技术与纳米电子学.pptVIP

10.5 纳米电子器件 10.5 纳米电子器件 谐振隧穿二极管（RTD） RTD的I-V特性存在有负阻（如图10.14(b)所示）。因为当电压使得发生谐振隧穿时，通过的电流很大，而逃离谐振时电流即变得很小，从而产生负阻；谷值电流主要来自过剩电路（包括经由势垒材料高能的隧穿过程和声子、杂质协助的隧穿过程所形成的电流）；在电压高于谷值电压时，电流时热离子电流（由越过势垒的热电子和经过量子阱较高分离能级注入的电子所形成，类似隧道而激光中的热扩散电流）。 此外，TRD的I-V特性还存在有过个峰值和多个谷值的现象，这正好是对应于势阱中不同能级的谐振情况。 10.5 纳米电子器件 谐振隧穿二极管（RTD） ——RTD的工作频率高达712GHz （0.3μW ）； IMPATT二极管400GHz（0.2W ） ；耿氏二极管193GHz（34mW） ——易于与其他器件进行集成 表10.1 用不同器件技术实现数字逻辑功能时，所需的有源器件的数目 10.5 纳米电子器件 谐振隧穿晶体管（RTT） ——包含一个RTD和一个晶体管 ——考虑将RTD结构引入到BJT晶体管的发射极，并将该BJT晶体管连接成共发射极电路 10.5 纳米电子器件 共集电极连接的单极RTT的工作原理 10.5 纳米电子器件 谐振隧穿晶体管（RTT） ——① 谐振隧穿器件都是电压控制器件。通过改变栅极电压来把量子阱相对于源的能级进行调整，使得实现电流开关或放大。因此，用小的栅极电压可以控制流过器件的大电流。 ——② 谐振隧穿器件可用作为开关或（和）放大器。这种纳米尺寸的量子效应器件，在开关性能上比MOSFET更为优越。 ——③ 谐振隧穿器件可实现多态逻辑功能。减少器件数目，降低热耗散。 10.5 纳米电子器件 2 单电子器件 单电子晶体管主要基于纳米隧道结的库仑阻塞效应来工作。它是一个栅控串连双隧穿结三端开关器件，电子将一个接一个地从源端转移到漏端。 SET的结构与MOSFET的结构几乎相同，它采用隧穿结代替MOSFET 的pn结，采用岛代替M0SFET的沟道区域。 SET工作必须满足的基本条件，也是要实现库仑堵塞需要满足的基本条件，主要有：（1）源-漏之间的电阻量子电阻h/q2≈26kΩ；（2）量子岛的电容要足够小（使得q2/2CkT）。 10.5 纳米电子器件 图10.18 SET的基本结构 这种结构可以看成是由两个隧道结夹有一个量子岛而构成的 图10.19 SET的库仑阻塞 电子的隧穿过程是：若开始量子岛中N=0，则随着电压的上升，首先结2脱离阻塞而隧穿，然后结1脱离而隧穿，产生隧穿电流。因此量子岛的状态变化是 N=0→(-1)→0→(-1) →… 10.5 纳米电子器件 图10.20 SET的库仑台阶 台阶的宽度(库仑间隙对电荷Qp很敏感（即使有0.1q的变化，也能够清楚的反映出来），从而I-V特性相对于V=0轴不对称，而且这种不对称情况可用来检测微量的电荷。 10.5 纳米电子器件 图10.22 库仑振荡现象 实际观察到的各个振荡幅度大小不一，这反映了量子点内的电子能谱或状态密度的变化情况。 10.5 纳米电子器件 图10.23 量子点中的电子数与库仑振荡的关系 图10.24 磁场所致的库仑振荡 10.5 纳米电子器件 2 单电子器件 库仑振荡：在VDS一定时，IDS随着VG，而振荡（当量子岛中的电子数较大时或单电子岛中的能级效应可忽略时，电流的振荡是周期性的）； 库仑台阶：在VG一定时，IDS随着VDS而呈现为台阶式的变化（量子岛与源极和漏极之间的势垒越高。台阶数目越多、台阶的出现即对应于SET的开关现象)； 超导量子岛SET的电荷宇称性质：若量子岛是超导的，则当其中的电子数力偶数（都是库柏对）时，能量最低；如果通过隧穿注入一个电子到量子岛中，则能量将升高Δ；但若超导量子岛中的电子数为奇数，则通过隧穿注入一个电子到量子岛中，正好可构成库柏电子对，反而使能量降低Δ。 10.5 纳米电子器件 2 单电子器件 传统的表面栅极SET 波导型SET 点接触平面栅极SET 10.5 纳米电子器件 3 纳米CMOS器件与电路 常规平面型CMOS器件的纳米化 图10.28 栅极长度为5nm的CMOS器件 10.5 纳米电子器件 3 纳米CMOS器件与电路 非常规CMOS器件 图10.29 非常规的MOS晶体管器件结构 10.6 纳米技术的发展 纳米硅薄膜器件 EMS系统和物联网 纳米技术与纳米电子学. 谢谢 第十章 纳米技术与纳米电子学 10.1 概述 纳米技术 物理学原理并不排斥通过操纵单个原子来制造物质。这样做并不违反任何定理，而且原则上是可以实现的。毫无疑问，当我们得以对细微尺度