纳米二氧化钛光催化材料.pptVIP

在半导体表面沉积金属应控制在一定范围 当金属沉积量低时，随金属亮的增加，金属呈正效应。而当金属沉积量超过最佳范围时，随进数量的增加，金属呈负效应。 过多的带有电子的金属微粒在半导体微粒上存在时容易使光生电子与空穴再复合。 * TiO2与半导体复合时，由于不同的半导体的禁带宽度不同，将不同的半导体进行复合造成能级交错，可以提高系统的电荷分离效果，有效地扩展其光谱响应范扩大其对太阳光中可见光部分的吸收。 复合的主要方法有简单的组合、包裹、偶合、掺杂等 与其他改性方法相比，复合半导体具有很多优点：通过改变粒子大小，可以很容易地调节半导体的带隙和光谱吸收范围;半导体微粒的光吸收范围为带边型，有利于太阳光的有效采集；通过粒子的表面改性可增加其光稳定性。 * 离子掺杂是利用物理或化学方法，将离子引入到TiO2晶格内部，从而在其晶格中引入新电荷、形成缺陷或改变晶格类型，影响光生电子和空穴的运动情况、调整其分布状态或改变TiO2的能带结构，最终导致TiO2的光催化活性发生改变。 离子掺杂修饰包括过渡金属离子、稀土元素离子和无机官能团离子以及其他离子。其中以过渡金属离子掺杂为主。 * 2001年Asahi等日本学者报道了氮掺杂TiO2，引起了人们对阴离子掺杂光催化剂及其可见光响应性能的广泛兴趣 半导体TiO2 中掺杂非金属可以影响光催化活性,