第二章：氧化教程文件.pptVIP

第二章 氧 化; ? 铁、铜、银等金属的自然氧化 ? 硅、硫、磷等非金属的自然氧化;氧化工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。 氧化是硅基集成电路的基础工艺之一 ;2.2 氧化原理;氧化系统;氧化过程;氧化物生长速率;其中X为氧化层厚度 B/A为线性速率系数、B为抛物线速率系数 t为生长时间 B/A和B与温度、氧化剂浓度，反应室压力等因素有关。 ;氧化物生长曲线; 干氧氧化速率曲线;常规的氧化工艺;常规的氧化工艺;先进的氧化工艺;三种热氧化层质量对比;氧化消耗硅;选择性氧化：常用于硅的局部场氧化LOCOS （LOCal Oxidation of Silicon）;2.3 SiO2结构、性质和用途;物理性质 ;SiO2的化学性质 SiO2 的化学性质非常稳定，仅被 HF 酸腐蚀 ;SiO2在集成电路中的用途 1.做MOS结构的电介质层 2.限制带电载流子场区隔离 3.保护器件以免划伤和离子沾污 4.掺杂中的注入掩蔽 5.减小氮化硅与下层之间应力的垫氧化层 6.减小注入损伤及沟道效应的注入屏蔽氧化层 7.导电金属之间的层间介质;①电介质层：用做MOS晶体管栅和源漏衬底之间的电介质层—栅氧化层 注：用热生长方法形成;②场区隔离层（场氧化层）（STI形成的）：用做单个晶体管之间的隔离阻挡层使它们彼此之间电气隔离。 STI（Shallow Trench Isolation） 注：用CVD方法形成;②场区隔离层（场氧化层）（硅局域氧化LOCOS形成的）：用做单个晶体管之间的隔离阻挡层使它们彼此之间电气隔离。;②场区隔离层（场氧化层）（硅局域氧化LOCOS形成的）：用做单个晶体管之间的隔离阻挡层使它们彼此之间电气隔离。 ;③保护层：保护有源器件和硅表面免受后续工艺的影响;④掺杂掩蔽层：作为注入或扩散掺杂杂质到硅中的掩蔽材料;⑤垫氧层：做氮化硅与硅之间的缓冲层以减小氮化硅与硅之间的应力;⑤垫氧层：做氮化硅与金属之间的缓冲层以减小氮化硅与金属膜之间的应力;⑥注入屏蔽氧化层：用于减小注入损伤及减小沟道效应;⑦金属间的绝缘层：用作金属连线间的绝缘保护层;氧化层应用的典型厚度; 热生长SiO2 – Si 系统中的实际电荷情况 ;在实???的SiO2 – Si 系统中，存在四种电荷： 1. 可动电荷： 指Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。 2. 固定电荷：指位于SiO2 – Si 界面2nm以内的过剩硅离子，可采用掺氯氧化降低。 3. 界面态：指界面陷阱电荷(缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。 4. 陷阱电荷：由辐射产生。;掺氯氧化 在氧化工艺中通常在氧化系统中通入少量的氯气（浓度在3％以下）以改善SiO2的质量。其作用有二： 1、氯离子进入SiO2－Si界面与正电荷中和以减少界面处的电荷积累 2、氧化前通入氯气处理氧化系统以减少可动离子沾污;不掺氯热氧化层 1. 可动电荷（主要是Na＋离子）密度： 3×1012～1×1013/cm2 2. 固定电荷密度： 1×1012/cm2 掺氯热氧化层 1. 可动电荷（主要是Na＋离子）密度： 2×1010～1×1011/cm2 2. 固定电荷密度： （1～3）×1011/cm2 ;热生长氧化层与沉积氧化层的区别 1. 热生长的氧化层比沉积的结构致密，质量好。 2. 热生长的氧化层比沉积成膜温度高，沉积氧化层可在第一层金属布线形成完进行，做为金属之间的层间介质和顶层钝化层。 3. 热生长的氧化层消耗硅。 4. 热生长氧化层的界面态、固定电荷、可动电荷等表面电荷密度都比沉积的低。 ;2.5 影响二氧化硅生长的因素;反应室的压力：压力越高氧化速率越快 氧化方式：湿氧氧化比干氧氧化速度快，掺氯氧化比不掺氯的氧化速率快 ;2.6 SiO2的质量检查;■ 通过颜色的不同可估算SiO2 层厚度;2.7 氧化设备;立式高温炉;立式炉系统;高温炉的组成 1、工艺腔 2、硅片传输系统 3、气体分配系统 4、温控系统 5、尾气系统;2.8 快速热处理;RTP的应用 1.注入退火以减小注入损伤和杂质电激活 2.沉积氧化膜增密 3.硼磷硅玻璃（BPSG）回流 4.阻挡层退火（如TiN） 5.硅化物形成（如TiSi2） 6.接触合金;常规炉与快速热退火炉的升温曲线对比;RTP系统;本 章 习 题