选择性发射极电池研发计划.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * 选择性发射极电池研发计划 概述 背景介绍 研发计划及需求 总结 背 景 介 绍 选择性发射极太阳能电池 SE（Selective Emitter）电池即选择性发射极电池是目前研究最普遍的高效电池结构，主要通过采用正面非均匀的掺杂，同时实现低浓度的N型扩散和良好的正面接触，降低了正面的接触电阻和俄歇复合损耗，能够提升0.5%-1%的太阳能电池转换效率 选择性发射极电池的典型结构 选择性发射极太阳能电池的几种典型路线 两次扩散法；采用掩膜+开窗口（激光、印刷腐蚀）的方式形成重扩散区域，此方法在掩膜技术成熟之后，亦可只进行一次扩散。 湿法刻蚀法；全表面重扩散后，采用掩膜（印刷、喷墨）+硅刻蚀（干法、湿法），刻蚀未掩蔽区域的硅，形成轻扩散区域 硅墨法；制绒后，在局部涂硅墨（印刷、喷墨）层，硅墨区能扩散时快速吸磷，从而通过一次扩散形成选择性扩散区域 磷浆法；制绒后，在局部印刷磷浆，通过一次高温，分部实现印刷区重扩和非印刷区的轻扩散，流程和设备硅墨法一致 两步扩散法 制绒 掩膜形成 印刷腐蚀/激光开孔 重扩散 掩膜去除 轻扩散 PECVD 等离子刻蚀 去PSG 对位印刷 检测分级 烧结 代表新工艺流程 两次扩散法的改进—掩膜+一步扩散 制绒 掩膜形成 印刷腐蚀/激光开孔 重扩散 PECVD 等离子刻蚀 去PSG 对位印刷