电力电子技术第1章 电力半导体器件.ppt

图 1.40 IGBT的安全工作区 * 1.6.3 IGBT对驱动信号的要求 由于 IGBT是以 MOSFET为输入级，其栅极特性与 MOSFET相同，具有与功率 MOSFET相似的输入特性和高输入阻抗，故驱动电路相对比较简单，驱动功率也比较小。 1）充分陡的脉冲上升沿和下降沿：前沿很陡的栅极电压加到G-E极间，可使IGBT快速开通，减小开通损耗；后沿足够陡的关断电压，并在G-E极间加一适当的反向偏压，有助于IGBT快速关断，缩短关断时间，减少关断损耗。 2）足够大的驱动功率：IGBT开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率及电压、电流幅值，使IGBT总处于饱和状态，不因退出饱和而损坏。 * 3）合适的正向驱动电压UGE：在有短路过程的设备中，建议选用UGE=15V±10% 。 4）合适的负偏压：在关断过程中，为尽快抽取PNP管的存储电荷，缩短关断时间，需施加负偏压-UGE，同时还可防止关断瞬间因du/dt过高造成误导通，并提高抗干扰能力。  * 5）理的栅极电阻RG：在开关损耗不太大的情况下，应选用较大的RG。参照表1.5，RG的范围为1400Ω。 6）IGBT多用于高压场合，故驱动电路与整个控制电路应严格隔离。 7）利用门极控制特性，实现对IGBT的过电流、短路、栅极前电压、管芯过热等保护。符合上述基本要求的IGBT典型驱动电压波形如图1.41所示。 1.6.4 IGB