第4章 半导体中载流子在电磁场中的运动.ppt

第四章 思考题与自测题 试从经典物理和量子理论分别说明散射的物理意义。 比较并区别下述物理概念：电导迁移率、霍耳迁移率和漂移迁移率。 什么是声子？它对半导体材料的电导起什么作用？ 强电场作用下，迁移率的数值与场强E有关，这时欧姆定律是否仍然正确？为什么？ 半导体的电阻系数是正的还是负的？为什么？ 有一块本征半导体样品，试描述用以增加其电导率的两个物理过程。 如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高？为什么？ 光学波散射和声学波散射的物理机构有何区别？各在什么样晶体中起主要作用？ 说明本征锗和硅中载流子迁移率温度增加如何变化？ 电导有效质量和状态密度有何区别？它们与电子的纵有效质量和横有效质量的关系如何？ 对于仅含一种杂质的锗样品，如果要确定载流子符号、浓度、迁移率和有效质量，应进行哪些测量？ 解释多能谷散射如何影响材料的导电性。 解释p型半导体霍耳系数改变符号的原因。 何谓霍耳角？与磁感应强度和载流子迁移率的关系如何？ 第四章 习题 P125 第2、3、7、16题 P355 第1题 设： 试证明： （1）半导体电导率取极小值σmin的条件是： （2） 其中σi是本征半导体的电导率，b=μn/μp 补充题 两种载流子同时存在 霍尔效应 ？ Ex Bz I - + z y x 三、两种载流子同时存在时霍尔效应 1．霍尔效应的形成过程及霍尔系数RH 有四种横向电流： ● 空穴在磁场力作用下，漂移运动发生偏转，使电流产生横向分量，形成的横向电流 ● 电子在磁场力作用下，漂移运动发生偏转，使电流产生横向分量，形成的横向电流 ● 空穴在y方向霍尔场作用下形成的电流 ● 电子在y方向霍尔场作用下形成的电流 －y方向 (1) y方向的空穴电流密度(Jp)y 假设稳定后，横向电场沿+y方向 洛仑兹力： +y方向 霍尔电场力： (2) y方向上的电子电流密度(Jn)y 稳定时，横向电流为0 (1) 本征半导体：n=p=ni 2．不同半导体RH与温度的关系 1/T RH (－) 例：ZnS (2) N 型半导体 ● 饱和区 为常数 ● 温度再升高，少子浓度升高 无论温度多高，RH 始终小于0，并且随T 升高，始终下降。 T↑, 1/T RH (－) (－) 饱和区 过渡区 本征区 (－) (3) p型半导体 ● 饱和区 为常数 ● 过渡区 T↑, p-nb2↓ (p+nb)2↑ 当 p-nb2 0，RH 0 当 nb2=p 时， RH＝0 | p-nb2 | ↑，|RH|↑ RH ↓ 当 p-nb2 0，RH 0 1/T RH (+) (+) (－) (－) ● 本征区 饱和区 过渡区 本征区 当 时，RH达到负的最大值 ND或NA升高，RH下降 (+) (+) (-) (-) (-) (-) 霍尔系数与温度和杂质浓度的关系 RH 1/T NA/ND T 3．RH与掺杂浓度的关系 四、霍尔效应应用 1．判别半导体极性，测量材料参数 2．霍尔器件 l b d Ex Bz I Ey - - - - - - - - - - C + + + + + + + + + A z y x VH l b d Ex Bz I Ey - - - - - - - - - - C + + + + + + + + + A z y x l b d Ex Bz I Ey - - - - - - - - - - C + + + + + + + + + A z y x l b d Ex Bz I Ey - - - - - - - - - - C + + + + + + + + + A z y x I 由于磁场的存在引起电阻的增加，称这种效应为磁阻效应。 §4.7 半导体的磁阻效应 按电磁场的关系分 纵向磁阻效应： B//E，磁阻变化小，不产生VH 横向磁阻效应： B?E，磁阻变化明显，产生VH 一、磁阻效应的类型 按机理分 由于电阻率?变化引起的R变化 物理磁阻效应 由于几何尺寸l/s的变化引起的 R变化 几何磁阻效应 磁阻的大小： 或 二、物理磁阻效应 1．一种载流子 P型：电场加在x方向，磁场在z方向 达到稳定时： Ex Ey vx fL qEy VVx的空穴： 运动偏向霍尔场作用的方向 VVx的空穴 ： 偏向磁场力作用的方向 沿横向电场强度方向的电流密度减小 电阻率增大 Ex Ey vx fL qEy V＜Vx V＞Vx 载流子速度统计分布导致横向磁阻效应 只考虑一种载流子的材料的磁阻效应，磁阻通常表示为 ： Tm为磁阻系数 ?H为霍尔迁移率，它表示载流子在单位磁场强度下的偏转强度 2．同时考虑两种载流子 Bz=0