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MOS管型号知识培训 一、 型号命名规则 二、 基础知识 三、 主要参数 四、 其它表贴MOS管 五、 高压MOS与酷MOS 型号命名规则 1、 突出桂微品牌 2、 力争与知名品牌兼容 3、 自主型号规律 4、 极性规律 5、 印字规律 具体规则（续） 如果不满足单双数规律时在GM后或型号最后增加代表极性的P或N 型号最后的字母除代表极性外A/B/C/D还代表电流或电阻的细分档，E代表防静电保护 印字中的A/B/C/D/E/I等分别代表击穿电压等级为20V/30V/40V/50V/60V/100V等 印字后数字基本与型号后1到2位数字对应 桂微自主型号印字直接用型号上的全部数字 基础知识 1、 MOS概念 2、 极性知识 3、 工作状态 4、 带ESD静电保护区别 MOS概念 MOS——Metal Oxid Semiconductor 金属 氧化物 半导体 FET——Field Effect Transistor 场效应晶体管 Gate栅极——基极B Drain漏极——集电极C Source源极——发射极E 极性知识 P沟道——加负电源，负开启电压 N沟道——加正电源，正开启电压 体二极管（寄生）——续流二极管 单一极性载流子参与导电——单极型晶体管（三极管，二极管——双极型晶体管） 无复合效应——开关速度快 电荷密试低（Low Qg）——开关功耗低 极性知识（图） 工作状态 垂直导电（VDMOS） 元胞结构——并联导电 栅极沟槽（TrenchMOS）——缩小元胞间距，减小芯片面积 MOS管不工作时，由外延层承担击穿电压（体二极管反压） MOS管工作时存在导通电阻 RDS（ON）=RCH+REPI+RSUB 工作状态（图） ESD保护 栅源静电吸收电路（一级或多级） IGSS会增大（@VGS100nA__10uA) VTH略低 相同芯片面积时RDS略大 相同RDS（ID）成本略高 ESD保护（图） 主要参数 1、 BVDSS击穿电压 MOS管不工作（导通）时漏源之间所能承受的最高电压 2、 VGS（TH）开启电压 为了使MOS管开始工作（导通）栅源之间要加的最小电压 3、 RDS（ON）导通电阻 在不同栅极电压下，MOS管导通时漏源之间的电阻 ——饱和压降 其它表贴MOS管 所有型号以GM开头 SOT-26，TSSOP8，SOP-8，DFN8等型号用最多4位数字区分具体极性和参数 借用其他公司数字代码 第3个字母W代表TO-252封装 接下来的1到2位数字代表电流 接下来的字母P或N代表极性 最后的数字乘10表示击穿电压 高压MOS与酷MOS 所有型号以GM开头 第3个字母P代表TO-220封装，F代表TO-220F封装，D代表TO-251封装，T代表TO-92封装 接下来的1到2位数字代表电流 接下来的字母P或N代表极性 最后的数字或直接或乘10表示击穿电压 酷MOS第4和5位数字乘10表示击穿电压，接下来的R和数字表示导通电阻 技术支持QQ:280322039