第09章存储器与可编程逻辑器件.pptVIP

9.1 只读存储器 9.2 随机存取存储器 9.3 可编程逻辑器件 9.1 只读存储器 9.1.1 ROM的结构 * * 主编 李中发 制作 李中发 2004年1月 电子技术基础 第9章 存储器与可编程逻辑器件 学习要点 只读存储器的工作原理 用只读存储器和可编程逻辑器件进行逻辑设计的方法 可编程逻辑器件的工作原理 第9章 存储器与可编程逻辑器件 ROM的分类 掩膜ROM：不能改写。 PROM：只能改写一次。 EPROM：可以改写多次。 存储器的分类 RAM：在工作时既能从中读出（取出）信息，又能随时写入（存入）信息，但断电后所存信息消失。 ROM：在工作时只能从中读出信息，不能写入信息，且断电后其所存信息在仍能保持。 存储容量＝字线数×位线数＝N×M（位） 存储单元地址 9.1.2 ROM的工作原理 二极管与门阵列 二极管或门阵列 结合电路图及上表可以看出，接有二极管的交叉点存1，末接二极管的交叉点存0。存储单元是存1还是存0，完全取决于只读存储器的存储需要，设计和制造时已完全确定，不能改变；而且信息存入后，即使断开电源，所存信息也不会消失。所以，只读存储器又称为固定存储器。 存储内容 ROM的阵列图 接有三极管的交叉点存1，末接三极管的交叉点存0。 接有场效应管的交叉点存1，末接场效应管的交叉点存0。 EPROM的存储单元 9.1.3 ROM