第三章双极型晶体管(1).pptVIP

微电子器件与IC设计 第 3 章 双极型晶体管 Bipolar Junction Transistor----BJT 第 3 章 双极型晶体管 3.1 结构 3.2 放大原理 3.3 直流电流增益 3.4 反向直流特性 3.5 开关作用 3.1 晶体管的基本结构及杂质分布 3.1.1晶体管的基本结构 由两个靠得很近的背靠背的PN结构成 3.1 晶体管的基本结构及杂质分布 3.1.2 BJT的杂质分布 1.锗合金管-均匀基区晶体管 特点： 三个区杂质均匀分布 2结为突变结 2.硅平面管-缓变基区晶体管 特点： E、B区杂质非均匀分布 2结为缓变结 3.1 晶体管的基本结构及杂质分布 “背靠背”的2个二极管有放大作用吗？ 3.1.3、结构特点 （1）基区宽度远小于基区少子扩散长度 (WB L) （2）发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度 ( NE NB ) 3.2.1、晶体管中载流子的传输 以共基极为例： 1、发射结的注入 2、基区的输运与复合 3、集电极的收集 3.2.2、发射效率及基区输运系数 1、发射效率r0 2、基区输运系数β* 3、集电区倍增因子 3.2.3、晶体管电流放大系数 1.共基极直流电流放大系数 2.共射极直流电流放大系数 晶体管放