第三章_CMOS门电路.pptVIP

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  • 2019-09-02 发布于湖北
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1 当uGS>0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 二、MOS管的输入特性和输出特性 三、MOS管的基本开关电路及开关等效电路 3. N沟道耗尽型MOSFET 特点: 当uGS=0时,就有沟道,加入uDS,就有iD。 当uGS>0时,沟道增宽,iD进一步增加。 当uGS<0时,沟道变窄,iD减小。 4、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 4. 三态输出的 CMOS门电路 EN=1时,CMOS呈高阻态 EN=0时,实现反相器的逻辑功能 三态输出的CMOS门电路也可以实现总线结构和双向数据传输 Y A EN 三态反相器逻辑符号 * 结束 放映 第一页 上一页 下一页 最后 一页 3.3 CMOS 门电路 MOS管的开关特性 CMOS反向器 其它类型的CMOS门电路 CMOS门电路的正确使用 CMOS门电路的基本构成单元是MOS门电路。 MOS门电路:以MOS管作为开关元件构成的门电路。 MOS管有NMOS管和PMOS管两种。 当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中,且二者在工作中互补,称为CMOS管(意为互补:Complementary)。   MOS管有

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