电磁场原理(第二版)2章.pptVIP

式(2.5.8)或式(2.5.9)说明若介质分界面上有自由面电荷，则介质分界面两侧的电位移矢量不连续。 如果分界面上不存在自由面电荷，即σ=0，且这两种各向同性线性介质的介电常数分别为ε1和ε2，则有D1=ε1E1，D2=ε2E2和α1=β1，α2=β2，于是E,D的分界面衔接条件可写成 上式称为静电场的折射定律。 2.5.3 电位的介质分界面衔接条件 作为静电场的基本物理量，电位的边界条件可由E,D的边界条件导出。在介质分界面上， 由E1t=E2t，得 等式两端分别对t积分，有 其中C为积分常数。设φ1和φ2分别是紧靠分界面两侧A,B两点的电位，即A,B两点的距 离dAB→0，因为电场强度总是有限值，故分界面两侧距离无限小的两点间的电位差应等于零，所以积分常数C为零，故得 再由D2n-D1n=σ，得 式(2.5.11)、式(2.5.12)为电位的介质分界面衔接条件。 2.5.4 导体与介质相界的边界条件 考虑与导体相界的是介质2,由式(2.5.7)和式 (2.5.9)，在紧靠导体表面的介质中有 称为介质的边界条件。同时，也可以用式(2.5.14)来计算导体表面的面电荷密度。 设导体的电位为φ1，用电位来描述的这一边界条件，有 2.6 电位的微分方程与边值问题 归纳前几节研究的静电场基本问题可以分成两类：第一类是已知电荷分布，求电场强度E或电位φ；第二类是相反的问题，在已知电场强度E或电位φ的情况下，求电荷分布。 2.6.1 泊松方程和拉普拉斯方程 对于各向同性线性局部均匀介质区域的静电场中，将 中，可得 对于均匀介质而言，ε为常数，有电位φ的微分方程 称为泊松方程。对于ρ=0的空间区域，此时电位的微分方程为 称为拉普拉斯方程。 电位的微分方程表达了场中各点电位的空间变化与该点自由电荷之间的普遍关系，因此，所有静电场问题的求解都可归结为在给定边界条件下寻求泊松方程或拉普拉斯方程解的问题。 2.6.2 静电场的边值问题 利用高等数学的知识，可以求解电位的泊松方程和拉普拉斯方程，从理论上讲，φ的二阶偏微分方程的解答有无数多个，它反映在微分方程通解 的积分常数上。然而，按已知边界条件得到的电位解答只有一个，这种在给定边界条件下求解电位微分方程的定解问题称为静电场的边值问题。 根据给定边界条件的不同，静电场的边值问题可分为以下4种类型： 1)在整个场域边界S上，电位φ的值已知，即给定 称为第一类边值问题，或狄里赫利问题。 2)在整个场域边界S上，电位的法向导数已知，即给定 称为第二类边值问题，或纽曼问题。 3)在场域边界S= S1+S2，在S1上电位φ的值已知，在S2上电位法向导数已知，即给定 称为混合边值问题。 4)在整个场域的边界S上，已知电位和电位法向导数的线性组合，即给定 称为第三类边值问题。 当场域伸展到无限远处，即所谓的无界问题。如果电荷分布在有限区域，则在无限远处电位值为零，因此有 称为自然边界条件。 另外，当整个场域中电介质不是完全均匀的，但能分成几个均匀介质的子区域时，可按各电介质子区域分别写出泊松(拉普拉斯)方程，并引入相应介质区域分界面上的衔接条件作为定解条件，形成对应问题的边值问题。 2.6.3 静电场的唯一性定理 依据赫姆霍兹定理，静电场的唯一性定理可作如下描述：“对于任一静电场，当场域内的电荷分布以及整个边界条件为已知时，该场域的各个部分就被唯一地确定下来了”。或者可更为简洁的表述为“满足给定边界条件的泊松方程的解是唯一的”。 由静电场的唯一性定理可知，只要保证场源的分布不变，保证相应的边界条件得到满足，那么解答都是正确的、唯一的，而不管这个解答是采用何种方法得来的。 2.7 静电场的间接求解方法 从理论上来说，可以按照电位微分方程的定解问 题来求解静电场问题。 镜像法主要用于边界面为平面(无限大或半无限大)和导体球面的边值问题，其基本过程是：在保证所求场域内电荷分布不变、边界条件不变的情况下，用设置在场域边界之外分布简单的电荷代替实际边界上未知的复杂的电荷分布，从而使原问题得以简化求解。 电轴法主要解决带等值异号电荷的两平行长直圆柱形导体周围的电场问题，其实质是将两带电圆柱导体周围空间的电场转化为等效的两平行长直线电荷的电场来求解。 2.7.1 镜像法 1)点电荷对无限大接地导体平面的镜像 首先讨论最简单的点电荷对无限大接地导体平面的镜像问题，如图2.24(a)所示。在导体表面上方 图2.24 无限大接地导体附近的点电荷及其镜像 的介质空间中，有一点电荷q，导体对电场的影响是由于导体表面上的感应电荷引起