模拟电子技术ch4-1.ppt

例题： 1、在放大电路中测得各三极管的电位如下图所示，试判断各管的管脚及类型（NPN或PNP管，硅管或锗管）。 作 业： 4.1.1 4.1.2 4.1.3 (3) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 ? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 ? V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系： V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 3.极限参数 4.1.4 BJT的主要参数 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 （思考题） 最大管耗线PCM=vCE?iC 使用时必须 vCE?iC PCM 4.1.4 BJT的主要参数 end 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 2. 温度升高，输出特性曲线向上移。 O T1 T2 iC vCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 iB = 0 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%