正负片流程区别简介.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * 正負片流程區別簡介 制作者：Leo _ Qiu * 簡介大綱 名詞解釋 正片流程簡介 負片流程簡介 正負片流程區別 正負片流程優缺點 * 正片流程 又稱tenting流程，所用底片為負片底片。 負片底片 “所見非所得”，底片透明部份是要保留圖形。 名詞解釋 透明部分是要保留的圖形 * 負片流程 又稱pattern流程，所用底片為正片底片。 正片底片 “所見即所得”，底片黑色部份是要保留的圖形。 名詞解釋 黑色部份是要保留的圖形 * 正負片基本流程對照 一銅 外層 二銅 蝕刻 鑽孔 外層AOI 負片流程 全板電鍍 外層 鑽孔 外層AOI 正片流程 * 正片流程詳細介紹 全板電鍍 利用整板電鍍的方法，使孔銅和面銅達到RD要求。 清潔板面，去除鑽孔後的burr。 利用KMnO4的強氧化性，除去孔內膠渣，增加孔內表面積，提高孔銅與孔壁結合力。 利用化學沉積方法，使Desmear後之非導體區覆蓋良好導電薄膜即化學銅，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。 Deburr Desmear PTH 整板電鍍 鑽孔 * 正片流程詳細介紹 外層 前處理 壓膜 曝光 顯影 經過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。 將乾膜貼附在基板表面，為影像轉移做準備。 所用乾膜貼附力好，tenting能力強。 使用負片底片 以UV光透過黑白底片照射乾膜，乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發生聚合反應，從而使底片上的圖形轉移到乾膜上。 利用碳酸钠溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。 曝光 負片底片 顯影 * 正片流程詳細介紹 外層 利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆蓋之銅咬蝕乾淨。 酸性蝕刻液成份：H2O2/HCl系列或NaClO3/HCl系列 利用去膜液（NaOH）將蝕刻後線路表面乾膜去除，使線路顯現出來。 酸性蝕刻 去膜 外層AOI 蝕刻 去膜 * 負片流程詳細介紹 一銅 目的：在孔壁上電鍍一層基銅，以便二銅電鍍。 Deburr Desmear PTH 一銅 清潔板面，去除鑽孔後的burr。 利用化學沉積方法，使Desmear後之非導體區覆蓋良好導電薄膜即化學銅，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。 一銅 一銅 利用KMnO4的強氧化性，除去孔內膠渣，增加孔內表面積，提高孔銅與孔壁結合力。 * 負片流程詳細介紹 外層 前處理 壓膜 曝光 顯影 使用正片底片 以UV光透過黑白底片照射乾膜，乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發生聚合反應，從而使底片上的圖形轉移到乾膜上。 經過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。 將乾膜貼附在基板表面，為影像轉移做準備。 所用乾膜抗鍍性較好。 利用碳酸钠溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。 曝光 正片底片 顯影 * 負片流程詳細介紹 二銅 電鍍二銅 電鍍錫 將孔銅面銅鍍到RD要求 鍍錫，保護蝕刻時圖形不被蝕刻掉。 二銅 鍍二銅，並鍍錫 * * * * * * * * * * * * * * *