磁畴教学课件.ppt

（三）多晶体的磁畴结构 在多晶中，每一个晶粒都有自己的易磁化方向，在晶粒边界处，由于晶界两侧的晶粒的取向不同，在一般情况下，在晶粒边界上会出现自由磁荷，引起退磁场能增加。因此多晶体中磁畴结构要出现稳定结构，只有相邻晶粒中磁畴取向尽可能使晶界上少出现磁荷，退磁场能才会最小。 如果晶界上存在自由磁荷，退磁场能足够高时，也会在多晶体的晶粒边界上形成一定大小的楔型附加畴。因此，多晶体中的晶粒边界也是产生附加畴的一个发源地。 三、单畴结构的计算 在大块材料中，若不形成多畴，则退磁场能很高，所以大块材料以多畴形式最稳定。多畴的大块材料只有在很强的外磁场作用下，才会磁化至饱和状态，整个材料的磁矩基本上取在一个磁化方向上（外场方向），近似一个单畴。 若铁磁材料的尺寸变得很小，成为多畴时的畴壁能比单畴的退磁场能还高，这时材料有可能不分畴，只好形成单畴。这样的小颗粒称为单畴颗粒。 （一）单畴临界尺寸 所谓临界尺寸是指铁磁体颗粒的尺寸小于某一尺寸时，整个晶体成为一个单畴，能量最低，结构最稳定。当铁磁体的尺寸大于该尺寸时，具有多畴结构。 大致计算方法：首先提出磁畴结构模型，然后计算各种能量加以比较，能量最低的畴结构最稳定，依此判断是多畴还是单畴。 假设所考虑的铁磁体为球形颗粒。以下给出几种可能的磁畴结构 (a)铁磁体的各向异性非常弱，磁矩取圆形磁通闭合式结构。 (b)具有三易磁化轴的立方晶体，磁晶各向异性比较强，磁化矢量都在易磁化方向，且互相垂直。 (c)强的单轴磁晶各向异性晶体，形成180畴壁。 (d)单畴。 因为临界尺寸R0代表单畴和多畴的分界点，故这时的单畴和多畴的能量相同。 对于单畴情况，单位体积的退磁场能为 整个单畴颗粒的退磁场能是 对于形成90畴壁的立方晶体（K10），退磁场能和各向异性能均可忽略，只需考虑畴壁能，其为 比较以上二式， 退磁场能 为体积能； 畴壁能 为面积能。 在R增大时，退磁场能增加快，多畴时的畴壁能小，多畴更稳定； 在R减小时，单畴的体积能减小得快，单畴更稳定； 在临界尺寸R0时，二者相等， 由此可以计算出临界半径 （此式为K10时的立方晶体的临界半径） （二）弱磁晶各向异性晶体的单畴临界尺寸 这种晶体因为磁晶各向异性小，其中的磁矩可沿球的圆周方向排列，没有自由磁荷（退磁能）。但是由于相邻磁矩之间有一定的夹角，交换能增加。设在一个圆周上，周长为 ，若原子间距为a，那么该圆周上相邻磁矩之间的夹角为 计算180畴壁能量密度 将 代入上二式得到 （比较近似计算结果： 2．立方晶体中的90畴壁 坐标选取同前， 处 处 90畴壁中的磁晶各向异性能 z=0处 所以 3．立方晶体中的180畴壁 （略） 5.4 磁畴结构计算 一、均匀铁磁体的磁畴结构计算 均匀铁磁体是指完整理想晶体。在这种晶体内部，磁畴结构通常表现为排列整齐，而且均匀地分布在晶体内各个易磁化轴方向上。均匀铁磁体内的磁畴结构有：片状型磁畴、闭流型磁畴以及表面树枝磁畴结构等。 磁畴结构的计算主要是求出在稳定状态下磁畴的宽度和磁畴的总能量。 （一）开放型片状磁畴结构 片状磁畴结构单位面积的退磁场能量可以计算为 式中D是片状磁畴的宽度，显然，片状磁畴的宽度D越小，退磁场能越小。 这里单位面积是指材料表面的长和宽各为1的面积。在高为L，表面为单位面积的体积内，设磁畴的宽度为D，则单位长度上有1/D块磁畴及1/D块磁畴壁，每块畴壁的面积为 因此，在表面为单位面积的片状磁畴结构中，其畴壁面积为 所以在单位面积中的畴壁能为 式中， 为畴壁能密度。 所以，片状磁畴中的总能量， 由总能量极小原理 可以求出稳定状态下磁畴结构的磁畴宽度和磁畴总能量 D 1 1 D D D L 由以上二式看出，片状磁畴的宽度D与样品的高度L和畴壁能密度 有关，又因为 与磁各向异性有关 ， 所以，片状磁畴的宽度D与样品的高度和磁晶各向异性常数有关 . （二）闭流型(或封闭型）磁畴结构 闭流型磁畴结构：由主畴和闭合畴形成闭合磁路，使其上下表面退磁场能为零。所以，闭流型磁畴又称封闭型磁畴。同时，为了使主畴与闭合畴之间的畴壁面上不出现自由磁荷，则畴壁与其两侧畴内的磁化向量应成45角（畴壁结构第一定则），以保证畴壁面上无退磁场。 1．畴壁结构第一定则 相邻两端磁畴中的自发磁化矢量在畴壁法线方向的投影分量相等。 若90畴壁，畴壁取向要满足畴壁表面不出现磁荷的条件，只能是相邻两磁畴中的磁化矢量在畴壁法线方向的投影分量相等。所以，180畴壁取向是平行于畴中磁化矢量的任意平面；90畴壁取向则是法线在相邻两畴的磁化矢量夹角的平分面上的任意平面。 2．畴壁结构的第二定则 畴