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                第七节 电子和声子的相互作用—金属电阻率与温度的关系 一、随时间变化的微扰势 二、散射概率θ(k’,k) 1.能量守恒 2.动量守恒 3.正常N (Normal)过程和倒逆U (Umklapp)过程 三、电阻率的温度关系 1. 在高温情况下: 2. 低温情况 其实,金属中的电阻和温度关系不止T和T5那么简单,一般来说,如果考虑到电子关联和磁性杂质的影响,电阻与温度有如下关系(在低温下):   第一项为剩余电阻,第二项T2为电子关联带来的,而第三项是由于磁性杂质带来的近藤(Kondo)项,而最后一项这是声子带来的。 近藤效应是指在非磁金属中掺杂少量磁性元素,则其电阻随着温度降低会出现一个电阻极小值,然后再升高。 1964年,近藤(Kondo)首先指出孤立磁性原子与传到电子之间存在RKKY相互作用,传到电子的自旋状态将变化,磁性原子本身自旋也会变化。从而使得磁性杂质对传到电子的散射更为有效,即电阻增大。 为了简单起见,只限于讨论各向同性、近似弹性散射的N过程。因此每个从              的跃迁值在                                费米球面上发生。在散射过程中,声子可以被吸收,也可以被发射。对于简单晶格,应该有3N个独立的声学波声子模式,而每个波矢q对应于3个模式(2横1纵)。因为振动模式相互正交的,可以独立计算它们的影响。这样摸个独立模式对应的跃迁概率由5.7.22可以写为: 式中与温度有关的量为格波振幅的平方|Aq|2,它可以由简正模的平均能量来估计,每个格波的动量为   对时间求平均为  得到 忽略纵波与横波波速的差别,在德拜模型下,有色散关系。 得到:   考虑所有格波模式的贡献,由5.6.15得到 在积分中改换以能量E’代替k’为积分变数,得到 I一般为ΔV的数量级,而               所以 大约为电子伏特的量级。 下面分别讨论高温和低温极限下的情况。 式5.7.30得到: 可见                       ,电阻率正比于温度的一次方。电阻率来自于原子振动,而原子振动又与温度相关。这是原来经典理论不能解释的。 当                    ,只有那些小波矢的声子才能参与散射事件。必须考虑散射角的影响。由于散射角很小,我们有:  由5.7.30得到: 令 因此,低温下,电阻率正比于T5变化,称为布洛赫T5次方定律。 对于球形费米面,能态密度   与式5.7.30比较,可见1/τ比例于费米面处的态密度大小,根据能带理论,过渡金属d带很窄,有很高的能态密度,因此可以理解过渡金属具有高电阻率的事实。 由金属电导率,得到金属电阻率公式为   金属的电阻率正比于1/τ,电阻起源于散射,包括电子散射和杂质散射。声子散射与温度有关,而杂质散射产生的是与温度无关的剩余电阻。 T=0时,晶体严格的周期势可以写为 其中V(r-R l)是R l各位的离子局域势。当T不等于0时,晶格振动导致偏离周期势,对单电子态的微扰势为: 将微扰势做展开,有   为了简单起见,考虑简单晶格,只有声学波声子。 格波的实数形式为   其中Aq为振幅,e为偏振方向单位矢量,e垂直q为横波,e平行q为纵波。这样可以得到一个q,ω(q)格波对微扰势的贡献: 这是一个随时间变化的微扰势 根据量子力学围绕理论,一个随时间变化的微扰将引起本征态之间的跃迁,从k态到k’态的跃迁概率为: 在5.7.7中的δ函数保证散射过程是能量守恒的,即 吸收或湮没声子 发射或产生声子 根据德拜理论,最大声子能量为: 而散射主要发生在费米面附近,电子的能量为   所以散射可以看作近弹性散射。 计算吸收和发射声子的矩阵元,可以得到动量守恒条件。吸收和发射声子的矩阵元可以统一写为:   其中, 为布洛赫波。 这样,5.7.9为: 其中                         且 积分I正比于ΔV的数量大小,对于金属而言,周期势是一个平缓的势场, ΔV较小,散射较弱,电导率较大。由5.7.11可见散射矩阵元只在下列准动量守恒时不为零。 如果在电子声子互作用的准动量守恒条件5.7.14中取Kh=0,那么: 它表示在吸收和发射声子过程中,电子正好增加或者减少一个声子的准动量。k,k’,q均在第一布里渊区,如图所示,这种过程对应于小角散射,称为N过程。 由散射过程的动量守恒,容易得到:   对于简单单价金属,按照自由电子模型,有   而在德拜模型下,最大的声子波矢   可以得到 但是对于N过程,                 可以得到散射角η满足    如果在动量守恒条件中取           则 这是, k’-k已经落在第一布里渊区以外,它对应于大角度散射,称为U过程。 实际上,当费米球失分接近于布里渊区边界时,小的
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