第三次课半导体激光二极管和激光器组件课件.pptVIP

第三次课(半导体激光二极管和激光器组件);第一节 半导体激光器基础知识; 为了产生受激辐射，必须建立非平衡得分布，即使上能级的粒子数大于下能级的粒子数，使受激发射大于受激吸收，这种状态叫做粒子数反转。; 激光器的粒子数反转状态可采用电或光的泵浦。 2、光反馈和激光振荡 在有源区内，开始少数载流子的自发辐射产生光子。一部分光子一旦产生，就穿出有源区，得不到放大；另一部分光子可能在有源区内传播，并引起其他电子－空穴对的受激辐射，产生更多的性能相同的光子，得到放大。 为了得到激光，必须将激活物质置于光学谐振腔中，如下图。 通过腔两端的反射，向光子提供正反馈。光信号每通过一次增益媒质就得到一次放大。;激光器中的光反馈及FP腔; 由于在谐振腔中，光波是在两块反射镜之间往复传输的，这时只有在满足特定相位关系的光波才能得到彼此加强，因此这种条件称为相位条件，;称为纵模间隔，它与谐振腔长及工作物质有关。 F-P腔的透射频谱特性如下图：;半功率点全宽为：;3、激光振荡的阈值条件 在注入电流的作用下，有源区的受激辐射不断增强，称为增益。 在F-P腔中，每次通过增益媒质时的增益尽管很小，但经过多次振荡后，增益变得足够大。 当腔内增益超过总损耗（包括载流子吸收、缺陷散射及端面输出）时，就产生了激光。 见下图：;FP-LD的增益曲线(a)腔模(b)及输出的纵模(c);; 从图上可以看出，半导体激光器存在阈值电流Ith。当注入电流小于阈值电流时，器件发出微弱的自发辐射光，类似于发光二极管的发光情况。当注入电流超过阈值，器件进入受激辐射状态时，光功率输出迅速增加，输出功率与注入电流基本保持线性关系。 半导体激光器的P―I特性对温度很敏感，下图给出了不同温度下P―I特性的变化情况。;图4.15 半导体激光器P―I曲线随温度的变化; 由图可见，随着温度的升高，阈值电流增大，发光功率降低。阈值电流与温度的关系可以表示为：;2、模式特性与线宽 LD输出谱特性，或为多纵模或为单纵模，如下图。; 1、模式特性 从使用来说，首先考虑的是模式的稳定性，它随时间、电流的任何变化都会给系统附加噪声。其次，对高速光纤通信系统来说，单纵模窄谱宽的光源有利于减小光纤色散的影响。 在模式特性上还要注意到横模的问题。 激光振荡也可能出现在垂直于腔轴的平面内，其中TEM00为基横模，TEM10、TEM11等为高次横模。 由于TEM00模的光斑与光纤中基模LP01模场光斑相匹配，故耦合效率最高。 同时LD工作在TEM00模时相干性最好，因此在LD的设计及结构上都应保证基横模工作。 ;2、线宽 LD输出的有限线宽来自于两个因素： 一、是激光腔内自发发射事件引起的光场相位脉动。 二、是载流子浓度脉动引起的折射率变化，使光腔庇振频率产生变化。简化理论推导的光源线宽Δν可表示为：;由上式可知，为了降低LD的线宽，可采取下列措施： 增大光功率（或腔内总光子数）。 减小自发发射速率。 从外部稳定载流子密度以使幅值-相位耦合最小。 第一点可通过改变腔结构、增加总体积、增加单位体积内储能（如增加端面反射系数）或增加输出功率来实现。 第二点可通过注入锁定来实现。 第三点，通过驱动电流的反馈控制来稳定载流子密度，有效减少激光场的幅值-个位耦合。 ;3、调制特性 如下图为半导体激光器的直接调制的原理图。 ; 与发光二极管的调制不同的是，由于存在阈值电流，在实际的调制电路中，为提高响应速度及不失真，需要进行直流偏置处理。 在高速调制情况下，半导体激光器会出现许多复杂动态性质，如出现电光延迟、张弛振荡、自脉动和码型效应等现象。这些特性会对系统传输速率和通信质量带来影响。;1）张驰振荡 当电流脉冲突然加到LD上时，其光输出呈现下图所示的动态相应，这是注入电子与所产生光子简相互作用的量子力学过程。;;由于光子寿命，及逸出腔外需要一定时间，使有源区内的过量复合仍维持一段时间，电子浓度进一步下降到阈值以下，光子浓度也开始迅速下降。当电子浓度下降到最低点，有源层中的激射可能减弱甚至停止。紧接着又开始新一轮导带电子填充过程。但由于电子的存储效应，这一轮的填充时间比上次短，电子浓度和光子浓度的过冲量也比上次小。这种衰减振荡过程重复多次，直到输出光功率达到稳态值。 显然，如果LD预偏置在阈值附近，光脉冲上升时间及张弛振荡的幅度都会显著降低。