集成电路复习.doc

一 填空题：（一网上） 1.在集成电路设计中，常用的电路仿真软件有___SPICE__________________ 、_____SPECTRE_________ 2.在模拟集成电路中MOS晶体管是四端器件即：_源极______、__栅极______、___漏极____、_衬底_____. 3.MSO管的主要几何参数：沟道长度、_沟道宽度_、__栅氧化成厚度________________。 4.饱和区MOS管的直流导通电阻表达式是：________________________________________ 描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标为： 集成度、特征尺寸 芯片面积、晶片直径以及封装。 在衬底（或其外延）上制作晶体管的区域称为 有源区 区；一种很厚的氧化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，称为 场 区。 3．摩尔定律是：?集成电路的集成度，即芯片上晶体管的数目，每隔18个月增加一倍或每3年翻两番。 4．IC设计单位不拥有生产线，称为 无生产线 ，IC制造单位致力于工艺实现，没有IC设计实体，称为 代工 。 6．根据 阈值电压 不同，常把MOS器件分成增强型和耗尽型两种。 7．IC工艺中的“制版”就是要产生一套分层的版图掩模，为将来进行 图形转换 ，即将设计的版图转移到晶圆