半导体物理器件-COMS驱动.pptxVIP

CMOS驱动;CMOS驱动;低功耗的设计对于CMOS来说是必不可少的，现在大多CMOS使用于图像传感，要求便携，如果功耗很大，那么将很大程度上影响携带的方便性。降低功耗的方法好很多种例如，电流复用技术可以降低功耗[1]采用正反 馈技术以提高电路的增益，并且将MOS晶体管偏置在反型区以取得超低的功耗[2]。 电磁干扰对于电子设备的影响日益明显,因此对其干扰机理的研究至关重要。在设计CMOS时要考虑其抗干扰能力[3]。 ;电子电路设计中，响应速度是一个很重要的指标，响应速度关乎到整个系统的运算能力，其中一环响应速度跟不上，那么整个系统都会变得缓慢。 CMOS的电源与时序的设计是十分复杂且十分关键的，例如，CMOS 图像传感器LUPA-4000 工作中需要调节的7 种电源[4]。故电源和时序在CMOS驱动的设计中至关重要。 ;CMOS简介;CMOS优点;CMOS应用;二是在数字影像领域，CMOS作为一种低成本的感光元件技术被发展出来，市面上常见的数码产品，其感光元件主要就是CCD或者CMOS，尤其是低端摄像头产品，而通常高端摄像头都是CCD感光元件。 ;三是在更加专业的集成电路设计与制造领域。 ;CMOS与CCD的区别;TTL和CMOS比较;CMOS驱动设计;高压大电流快速CMOS驱动器属于单导通PIN驱动器，其技术指标包括四路输出，每路输出驱动电流不小于80mA，输出延迟及上升时间不大于300ns，输出延迟及下降时间不大于200ns，电源电压＋30V、＋5V、－5V，控制端与TTL兼容，工作温度－55～＋125°C，封装形式为标准DIP16S引线和LCC24（陶瓷无引线载体）。 高压大电流驱动原理图;基于积分时间和增益可调的CMOS驱动设计 为了适应光照强度的变化, 通常需要改变积分时间来选择合适的曝光量。但积分时间设置过长, 会使CMOS图像传感器的输出帧频大幅度的降低。为了解决这一问题,提出了一种改进的设计方法, 可以保证在对图像传感器的输出帧频影响较小情况下, 能够实现自适应光照强度调整[8]。; 积分时间和增益的自 适应调节设计;积分时间和增益的自适应调节原理 基本原理是利用积分时间的改变对CMOS图像传感器输出帧频的影响, 提出了一种改进的驱动时序, 在原来只改变积分时间的基础上, 增加了对输出放大器增益??控制, 这样可以通过对增益的调节来补偿积分时间改变对输出帧频的影响。最终不仅能实现自适应曝光的目的, 而且还可以满足快速测量的要求。;抗电磁干扰低电压CMOS放大器设计 随着集成电路特征尺寸不断缩减、集成度越来越高，片上及片间电磁干扰问题愈加严重，为避免干扰引起的IC性能削弱及失效，片上系统抗干扰设计尤为重要[9]。 该设计基于CMOS体驱动，提出低电压放大器抗电磁干扰结构．电路采用部分正反馈结构提高体驱动输入级的等效输入跨导，通过输入电压降结构改善体驱动结构的直流非线性，采用双输入级结构保证放大器良好的交流特性，同时，对称拓扑结构保证了电路的高度对称性，实现了对称的转换速率．该设计采用电源电压为１Ｖ 的0.35μｍ 标准CMOS工艺实现[10]。;双输入级反馈电压降放大器;与传统放大器抗电磁干扰比较。 失调电压：输入存在1Vpp 电干扰;该设计采用带有部分正反馈及输入电压降结构的双输入级体驱动结构．实验结果表明，基于1V 干扰电压下，所设计电路的失调电压最大值仅为50mV，10KHZ 频点处的输出PSD 峰值相比传统体驱动结构下降33dBm，且对1HZ-4GHZ频带范围内的电磁干扰均具有抑制作用．;参考文献;致 谢