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CMOS二输入与非门的设计 [内容摘要] 随着微电子技术的快速发展，人们生活水平不断提高，使得科学技术已融入到社会生活中每一个方面。而对于现代信息产业和信息社会的基础来讲，集成电路是改造和提升传统产业的核心技术。随着全球信息化、网络化和知识经济浪潮的到来，集成电路产业的地位越来越重要，它已成为事关国民经济、国防建设、人民生活和信息安全的基础性、战略性产业。 集成电路有两种。一种是模拟集成电路。另一种是数字集成电路。本次课程设计将要运用S-Edit、L-edit、以及T-spice等工具设计出CMOS二输入与非门电路并生成spice文件再画出电路版图。 [关键词]CMOS 二输入与非门 电路设计仿真 目 录 1.概述……………………………………………………………………1 2.CMOS二输入与非门的设计准备工作…………………………………1 2-1 .CMOS二输入与非门的基本构成电路………………………………1 2-2.计算相关参数………………………………………………………2 2-3.电路spice文件…………………………………………………………3 2-4.分析电路性质………………………………………………………3 3、使用L-Edit绘制基本CMOS二输入与非门版图……………………4 3-1.CMOS二输入与非门设计的规则与布局布线………………………4 3-2.CMOS二输入与非门的版图绘制与实现……………………………5 4、总结……………………………………………………………………6 5、参考文献………………………………………………………………6 概述 本次课程设计将使用S-Edit画出CMOS二输入与非门电路的电路图，并用T-spice生成电路文件，然后经过一系列添加操作进行仿真模拟，计算相关参数、分析电路性质，在W-edit中使电路仿真图像，最后将电路图绘制电路版图进行对比并且做出总结。 2.CMOS二输入与非门的设计准备工作 2-1 .CMOS二输入与非门的基本构成电路 使用S-Edit绘制的CMOS与非门电路如图1。 图1 基本的CMOS二输入与非门电路 1 2-2.计算相关参数 所谓与非门的等效反相器设计，实际上就是根据晶体管的串并联关系，再根据等效反相器中的相应晶体管的尺寸，直接获得与非门中各晶体管的尺寸的 设计方法。具体方法是：将与非门中的VT3和VT4的串联结构等效为反相器中的NMOS晶体管，将并联的VT1、VT2等效PMOS的宽长比(W/L)n和(W/L)p以后，考虑到VT3和VT4是串联结构，为保持下降时间不变，VT3和VT4的等线电阻必须减小为一半，即他们的宽长比必须为反相器中的NMOS的宽长比增加一倍，由此得到(W/L)VT3,VT4=2(W/L)N。 因为考虑到二输入与非门的输入端INA和INB只要有一个为低电平，与非门输出就为高电平的实际情况，为保证在这种情况下仍能获得所需的上升时间，要求VT1和VT2的宽长比与反相其中的PMOS相同，即(W/L)VT1,VT2=(W/L)P。至此，根据得到的等效反向器的晶体管尺寸，就可以直接获得与非门中各晶体管的尺寸。 如下图所示为tPHL和tPLH，分别为从高到低和从低到高的传输延时，通过反相器的输入和输出电压波形如图所示。给其一个阶跃输入，并在电压值50%这一点测量传输延迟时间，为了使延迟时间的计算简单，假设反相器可以等效成一个有效的导通电阻Reff，所驱动的负载电容是CL。 图2 反相器尺寸确定中的简单时序模型 对于上升和下降的情况，50%的电都发生在： 这两个Reff的值分别定义成上拉和下拉情况的平均导通电阻。如果测量tPHL和tPLH，可以提取相等的导通电阻。 由于不知道确定的tPHL和tPLH，所以与非门中的NMOS宽长比取L-Edit软件中设计规则文件MOSIS/ORBIT 2.0U SCNA Design Rules的最小宽长比及最小长度值。 2 2-3.电路spice文件 根据S-Edit画出的CMOS二输入与非门电路图，生成如下电路spice截图。 Spice文件 2-4.分析电路性质 根据数字电路知识可得二输入与非门输出。使用W-Edit对电路进行仿真后得到的结果如图3和图4所示。 3 图3 图4 基本的CMOS二输入与非门仿真结果（inA是inB相位提前100ns波形） 可以看到，仿真结果与理论基本符合。 3、使用L-Edit绘制基本CMOS二输入与非门版图 在设计中采用Tanner Pro 软件中的L-Edit组件设计CMOS二输入与非门的版图，进而掌握L-Edit的基本功能和使用方法。 操作流程如下：进入L-Edit—建立新文件—环境设定—编辑组件—绘制多种图层形状—设计规则检查—修改对象—设计规则检查—电路转化—电路仿真。 3-1.C