第1章-衬底制备工艺.pptVIP

集成电路制造工艺;上节课主要内容;第一章 单晶硅结构、制备方法; 1.1 硅晶体结构的特点;硅、锗、砷化镓电学特性比较;锗应用的最早，一些分立器件采用； GaAs是目前应用最多的化合物半导体，主要是中等集成度的高速IC，及超过GHz的模拟IC使用，以及光电器件 从电学特性看硅并无多少优势,硅在其它方面有许多优势 ;;硅作为电子材料的优点;硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞;1.2 硅晶向、晶面和堆积模型;硅晶面;硅晶面;ABAB… 六角密积 （镁型）;六角密积;立方密积：第三层的另一种排列方式，是将球对准第一层的 2，4，6 位，不同于 AB 两层的位置，这是 C 层。;面心立方晶格;硅晶体为双层立方密积结构;解理面;1.2 硅晶体缺陷;点缺陷;杂质缺陷是非本征点缺陷，指晶体中外来原子。 杂质中，填隙杂质在微电子工艺中是应尽量避免的，这些杂质破坏了晶格的完整性，引起点阵的畸变，但对半导体晶体的电学性质影响不大；而替位杂质通常是在微电子工艺中有意掺入的杂质。例如，硅晶体中掺入ⅢA、ⅤA族替位杂质，目的是调节硅晶体的电导率；掺入贵金属Au等，目的是在硅晶体中添加载流子复合中心，缩短载流子寿命。;线缺陷;刃位错和螺位错;刃形位错的运动;面缺陷和体缺陷;缺陷的产生及结团;缺陷的去除;1.3 硅中杂质;Si中杂质类型;1.3.1杂质对Si电学特性的影响;硅晶体中杂质能级和电离能;