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半導體材料分析
技術與應用
鮑忠興
Jong-Shing Bow
Feature of a MOS
Matel
silicide
Poly(n)
Gate oxide (1.5 nm)
S(n) D(n)
CD
Substrate(p)
CD = 0.18, 0.15, 0.13 μm; 90, 65 , …. nm
鮑忠興 Jong-Shing Bow I-2/26
Schematic IC Structure
M2
IMD2
M1
IMD1
W W W W PMD W W
S(n) D(n) STI S(n) D(n) STI S(n) D(n)
鮑忠興 Jong-Shing Bow I-3/26
Techniques to Characterize IC Microstructure
IC Microstructure
Microscopy Spectroscopy Diffraction
Images Spectra Diff. Patterns
鮑忠興 Jong-Shing Bow I-4/26
影像提供的訊息
圖案 (pattern)
尺寸 (dimension)
STI
輪廓 (profile)
Typical tools :
PV-SEM (in-line)
OM FIB (defects) TEM
XSEM (off-line)
鮑忠興 Jong-Shing Bow I-5/26
影像三要素
對比：No contrast, No information!
分析
Images
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