杂质对柱形量子点系统束缚能的影响.pdf

第33 卷/第2 期/ 河北师范大学学报/自然科学版/ Vol.33 No.2 2009 年3 月 JOURNALOFHEBEI NORMAL UNIVERSITY/Natural Science Edition/ Ma r.2009 杂质对柱形量子点系统束缚能的影响 郑冬梅, 　王宗篪 (三明学院 物理与机电 程系, 福建 三明　365004) 摘 要:在有效质量近似和变分原理的基础上, 考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应, 研究了纤 锌矿结构的GaN/Al Ga N 单量子点中杂质体系的基态能量与杂质电荷的关系, 讨论了杂质电子的束缚能随量 x 1-x 子点的主要结构参数(量子点高度 L 和量子点半径R )以及杂质在量子点中不同位置的变化规律, 并研究了考虑量 子点内外电子有效质量失配对杂质电子束缚能的影响. 关键词:GaN/Al Ga N;柱形量子点;杂质;束缚能 x 1-x 中图分类号:O 48　　　文献标识码:A　　　文章编号:1000-5854(2009)02-0193-05 随着纳米尺度制造 艺和分子束外延(M BE)技术的快速发展, 人们已经能成功地制备出具有超小结构 的半导体量子点.由于杂质对半导体量子点器件的光电和输运性质有重要影响, 所以带有杂质的量子点引起 [1] [2] 了物理学家极大的兴趣.Zhu 等 以及Porras-Montenegro 等 对杂质位于GaAs-GaA 1As 球形量子点中心 [3] 的情况做了研究.此外, Porras-Montenegro 等 还研究了GaAs-GaA 1As 球形量子点中施主离子的不同位置 [4] [5] 对束缚能的影响;Corella-Ma ueno 等 研究了磁场对量子点中类氢杂质态的影响;陈晓芳等 利用变分法 计算了无限深球形量子点中施主杂质态的束缚能、杂质有效玻尔半径、维里定理值等随量子点尺度的变化关 系.但所有以上 作大多用的是砷化物半导体材料, 且人们的研究主要集中于球形量子点, 对圆柱形量子点 [ 6] 中的杂质态的研究报道非常有限.随着生长技术的改进, 实验室已经能够制备圆柱形的量子器件 , 因此研 究柱形量子系统具有很大的实际意义. 本文中, 笔者利用有效质量方法和变分原理, 考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应, 得出了杂质 离子处于GaN/Al Ga N 量子点系统任意位置的一般情况下杂质对量子点系统束缚能的影响. x 1-x 1　理论模型 考虑一个半径R 和高度L 的三维圆柱形Al Ga N/GaN/Al Ga N 单量子点(如图1 所示), 量子点 x 1-x x 1-x 中有一个电子和一个带电量为q 的杂质离子, 电子的坐标为(ρ, φ, z ), 杂质离子中心位于量子点中的坐标 e e e 为(ρ0, φ0, z 0). 在有效质量近似下, 约束在GaN 量子