薄膜材料-第2章.ppt

复合材料概论 第1章　前言 磁控溅射靶的构型 平面磁控溅射靶：大面积、不受形状限制；适合流水线生产。 圆柱状磁控溅射靶：360o溅射，沉积几何简单，薄膜均匀性好。 4)反应溅射 制备化合物薄膜: 直接使用化合物作为溅射靶, 调节气体组成和压力, 纯金属（靶）+ 气体→化合物. 6)离子束溅射 相对于真空镀膜来说，溅射镀膜具有以下特点： 优点：对于任何待镀材料，只要能作成靶材，就可以实现溅射； 溅射所获得的薄膜与基片结合较好； 溅射所获得的薄膜纯度较高，致密性好； 工艺可重复性好，膜厚可控，可在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜； 缺点：相对于真空蒸发来说，它的沉积速率低。 2.3其它PVD法 2.3.1离子镀 离子镀 = 蒸发+溅射 衬底为阴极,真空室为阳极, 产生等离子体, 氩离子轰击衬底. 氩离子与蒸发原子之间电荷交换,蒸发物质电离,轰击. 特点： 结合力好,清洁表面,细化晶粒. 覆盖能力强,离子具有更高的动能和迁移能力. 2.3.2电弧离子镀 2.3.4反应蒸发沉积 Plasma generator 空心阴极离子源； 热灯丝离子源； 微波放电离子源； 金属弧蒸汽离子源。 阴极 阳极 应用范围： 工具镀：在切削刀具上镀制2-5μm的TiN膜层，可使刀具寿命提高2-10倍，提高切削速度30%，使工件的光滑度提高一个等级。 装饰镀：离子镀膜设备可制备多种色泽的膜层，由浅到深的金黄色，黑色，蓝色以及彩色和复合色等等，在钟表首饰，灯具厨具及各种装饰性材料的加工过程中已被广泛运用。 电弧源： 靶(导电材料)+约束磁场+弧电极+触发 电极； 等离子体的电离率高达70%； 可蒸发高熔点导电材料，如Ta等； 可在活性气氛下工作。 2.3.3多弧离子镀 5)偏压溅射 衬底与等离子体之间施加一定的偏压，吸引一部分离子流向衬底. 提高原子在薄膜表面扩散和参与化学反应的能力,提高致密度,细化晶粒,改善薄膜组织结构及性能常用有效手段. 无偏压溅射 偏压溅射 复合材料概论 第1章　前言 溅射：在一定的温度下，固体或液体受到适当的高能粒子（离子）的轰击，则它们中的原子通过碰撞有可能获得足够的能量从表面逃逸出来，这一现象称为溅射。 复合材料概论 第1章　前言 十九世纪，发现溅射现象，放电管领域——设法避免。 二十世纪60年代——镀膜技术 贝尔实验室(Bell Lab)和威期特思电气公司(Western Electric)进行溅射镀膜研究 1963年：全长10余米的连续溅射装置 1966年：美国IBM公司高频溅射技术——绝缘膜 理论上，可在任何材料上沉积任何材料的薄膜 复合材料概论 第1章　前言 2.2.1溅射与蒸发 1)溅射出来的粒子角度分布取决于入射粒子的方向。 复合材料概论 第1章　前言 2)溅射率（平均每个入射粒子能从靶材中打出的原子数）不仅取决于入射粒子的能量，也取决于入射粒子的质量。 复合材料概论 第1章　前言 3)溅射出来的粒子平均速率比蒸发的粒子平均速率高得多。 复合材料概论 第1章　前言 2.2.2气体放电 气体放电：气体在电场作用下发生电离的过程。 辉光放电：对低压气体实行高电压，此时气体被电离产生放电现象。电子、原子碰撞导致原子中轨道电子受激跃迁到高能态，而后又衰变到基态并发射光子，大量的光子便形成了辉光。如霓虹灯的发光属于这种辉光放电。 弧光放电：在电压不高的情况下，两极间的气体在通过较强的电流(几安到几十安)作用下，发生电离，产生高温放电现象。弧光放电可有很强的光输出，照明光源都采用弧光放电，如荧光灯。 复合材料概论 第1章　前言 A:I≈0 AB:无光放电区 BC:Townsend放电 C:电击穿 CD:过度区（自持放电） DE:正常辉光放电 EF:异常辉光放电 FG:弧光放电 复合材料概论 第1章　前言 异常辉光放电——溅射工作区： 提供面积较大、分布较为均匀的等离子体，有利于实现大面积的均匀溅射和薄膜沉积。 等离子体(Plasma)： 是一种电离的气体，由于存在电离出来的自由电子和带电离子，等离子体具有很高的电导率，与电磁场存在极强的耦合作用。等离子态在宇宙中广泛存在，常被看作物质的第四态（有人也称之为“超气态”）。等离子体由克鲁克斯在1879年发现，“Plasma”这个词，由朗廖尔在1928年最早采用等离子体是存在最广泛的一种物态，目前观测到的宇宙物质中，99%都是等离子体。 复合材料概论 第1章　前言 复合材料概论 第1章　前言 复合材料概论 第1章　前言 等离子体法制备AlN粉体： Al + 1/2N2 → AlN 复合材料概论 第1章　前言 2.2.3溅射参数 溅射阈值：是指将靶材原子溅射出来所需的入射离子最小能量值。当入射离子能量低于溅射阈值时，不会发生溅射现象。溅射阈值与入射离子的质量无明显