调制谱开关谱.docVIP

调制谱/开关谱 连续调制频谱是测量由于GSM调制处理而产生的在其标称载频的不同频偏处（主要是相邻频道）的射频功率; 切换瞬态频谱是测量由于调制突发的上升沿和下降沿而产生的在其标称载频的不同频偏处（主要是相邻频道）的射频功率； 射频频谱主要考虑由于调制和射频功率电平切换而引起的对相邻信道的干扰；在时间上，连续调制频谱和功率切换频谱不是同时发生的，因而射频输出频谱可分为连续调制频谱和切换瞬态频谱，来分别的加以规定和测量。 GSM采用TDMA方式，信号以单个burst输出 PVT描述的为单个burst时域的时间－幅度曲线 Switching Spectrum描述单个burst上升、下降沿频域的频率－幅度曲线 Modulation Spectrum描述单个burst稳定时间内频域的频率－幅度曲线。 简单的说,开关频谱就是在GSM手机功率切换时，调制突发脉冲的上升和下降沿在其标称载频频率附近不同频偏出的功率谱！表示它在功率切换时对邻近信道的干扰情况。 一提到开关频谱大家可能都以为是开关的打开和关闭，其实不然。同时与开关频谱相对应的还有连续调制频谱，连续调制频谱指的是手机在没有功率切换时，正常工作在一个稳定的功率等级下，它的调制在邻近信道上的功率谱。 两者反映的都是手机工作时频谱图，相同点是都是功率谱，都是对载频干扰的情况。不同点是开关谱反映的是功率切换时的频谱，连续调制频谱反映的是正常工作时的频谱。 在GSM标准中，一个载频调制尽量减少对邻近信道的干扰，也就是开关谱和连续谱的边缘谱必须在一定的标准之下。 开关谱与调制频谱 一、开关谱 是不是指PA打开和关闭的一瞬间, PA输出的频谱呀? 如果指标不好,是不是应该调PA控制端Vramp的上升沿和下降沿啊? Vramp的上升沿和下降沿好，开关谱, 调制谱自然就好！关键是如何提高Vramp的质量，这主要就看你的Lay板水平了。 二、调制谱 是不是指PA长开时,PA输出的频谱呀? 如果指标不好,是否应该调I,Q两路信号的相位及幅度啊? 看看transceiver的电源及I,Q支路滤波就行了 三、杂散 主要分量是谐波成分吗? 如果指标不好,是应该调SAW吗? 个人认为，SAW影响很小，主要是PA后面的双频开关、天线开关影响很大等！ 1、 关键是如何提高Vramp的质量，这主要就看你的Lay板水平了 不是用软件调它上升下降的波形吗? 为何与布板还有关呢? 有干扰?? 这是个低频信号啊, 末端串个电阻再接个电容到地, 就应该能滤除干扰呀. 布板不会要求那么严吧? 2、 I,Q支路滤波 我们用的TI方案, ABB　TWL3104输出与Transceiver 之间的Ｉ，Ｑ连线基本上是直连的，只有一个ＲＣ滤波，串联电阻－－并联电容－－－串联电阻． 你指的是这个吗？ 3,、＂PA后面的双频开关、天线开关＂ 我们用的是FEM(内置SAW和switch), 你说的两个开关就是指这个吧? Power Vs Time曲线的上升沿和下降沿是可以用软件调的,Vramp的上升沿和下降沿好象与软件关系不大吧(疑惑...),但时序很重要. TI的方案不太熟,呵呵.你所说的I,Q支路滤波应该就是典型的RC三阶滤波器吧? 杂散分传导杂散和辐射杂散,你所说的FEM就是抑制杂散的关键! 是这样得，我理解他说得时序应当是TX发射打开信号，Band select信号，还有Vramp三者得关系，一般在PAM的Datasheet中会提到软件应当如何设置。 比如： Band选择到GSM，再10us后打开PA，然后4us后Vramp开始上升，然后ramp up 14us，传输Data burst，然后ramp down 14us,再4us后关闭PA PAM是PA和ASM的集成芯片，现在很多芯片厂家把RF芯片集成成两块了，说不定哪天只有一块了！！我们RF也就没多少事情可作了 Antennatch Module，ASM What I mean by SW, is the one can cortrol the Vramp signal. So, may I think the SW is related with the Vramp ? 开关频谱测试 在综测时发现很多手机在开关频谱测试时不同过，超出上限规定的10dB值。但返回到板测位重新校准后这样状态的大部分手机又能综测通过。所以能确定是板测工位出了问题。但目前板测校准程序还没具备在手机Flash内做标识的功能，不知道是哪套系统出了问题。该怎么办？ 和电源电压有很大的关系！整机测试时把电源电压拉低了。换一个带有sensor的电源应该就可以了！ 电源失调和噪声能影响开关频谱，过低的Battery电压也会影响。66309D失调严重，在输出端加一个大电容，